富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，成功開發出擁有1Mb內存 (128K字符X 8位)的全新FRAM產品---MB85RC1MT
，是所有富士通半導體I2C串行接口產品中最高內存容量的產品
，且即日起即可為客戶提供樣品。全新MB85RC1MT可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期
，適用於需要經常重複寫入數據之應用，例如工廠自動化、測試儀器及工業設備所需之實時數據登錄應用。現在富士通半導體同時擁有廣泛的I2C與SPI串行接口產品係列
，為客戶提供最符合他們要求的非揮發性存儲器產品。

圖1：富士通半導體推出擁有1Mb內存的全新FRAM器件

 

FRAM是shi一yi種zhong兼jian具ju非fei揮hui發fa性xing與yu隨sui機ji存cun取qu功gong能neng的de存cun儲chu器qi，能neng在zai沒mei有you電dian源yuan的de情qing況kuang下xia可ke儲chu存cun及ji高gao速su寫xie入ru數shu據ju。值zhi得de注zhu意yi的de是shi，在zai眾zhong多duo非fei揮hui發fa性xing內nei存cun技ji術shu中zhong，FRAM能保證一萬億次以上的寫入/擦除周期。富士通半導體自1999年開始量產FRAM產品以來

，已將上述產品特性廣泛應用在工廠自動化設備、測試儀器、金融終端機及醫療裝置等領域。

MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度範圍以1.8V至3.3V工作電壓運作，可支持3.4MHz 的“高速”操作模式，並可在與傳統EEPROM相同的1MHz環境進行讀寫數據作業。MB85RC1MT保證有一萬億次寫入/擦除周期
，大幅超越傳統EEPROM的寫入/擦除周期次數

，並可支持I2C接口及其他接口產品的實時數據登錄等頻繁的重複寫入數據作業。

此外，對於一些需要使用I2C接口EEPROM應用場合，現在都可以由富士通半導體的新款FRAM產品取而代之，以實現高頻率數據輸入和高精度數據擷取（如圖2），更能夠降低數據寫入的時功耗（如圖3）。

圖2：數據寫入/擦除周期比較

圖3：EEPROM和富士通半導體FRAM產品之數據寫入作業功耗比較

MB85RC1MT的出現增加了富士通半導體的FRAM產品陣容：I2C 接口（支持4 Kb至1 Mb內存容量）和SPI接口（16 Kb至2 Mb內存容量）（如圖4）。這些FRAM產品采用業界標準的8針腳SOP封裝，因而可取代EEPROM或序列閃存，並適用於工廠自動化
、測試儀器及工業設備等應用，更無須大幅修改電路版的設計。

圖4：FRAM產品陣容（序列內存）

富士通半導體將持續開發FRAM產品以滿足客戶對低功耗產品之需求，例如需求日益增加的能量采集應用，其中低工作電壓是關鍵要素。