光電FET光耦是一個可變電阻，與固定電阻連在一起，就成了一個電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的(de)隔(ge)離(li)電(dian)壓(ya)，能(neng)安(an)全(quan)地(di)控(kong)製(zhi)高(gao)壓(ya)電(dian)路(lu)參(can)數(shu)。但(dan)非(fei)線(xian)性(xing)傳(chuan)輸(shu)特(te)性(xing)可(ke)能(neng)有(you)問(wen)題(ti)。為(wei)了(le)校(xiao)正(zheng)這(zhe)種(zhong)非(fei)線(xian)性(xing)，我(wo)們(men)采(cai)用(yong)一(yi)種(zhong)反(fan)饋(kui)機(ji)製(zhi)
，使(shi)電(dian)位(wei)器(qi)產(chan)生(sheng)線(xian)性(xing)響(xiang)應(ying)，本(ben)電(dian)路(lu)使(shi)用(yong)了(le)兩(liang)隻(zhi)光(guang)電(dian)FET，一隻作反饋，另一隻則用於需要隔離電位器的應用。將兩隻光電FET的輸入端串聯，就可以保證輸入LED有相同數量的電流。

圖 光電FET光耦和電阻連起來做一個電位器

FET輸出端放50kΩ的電阻
，以模擬電位器的響應。電路對設定輸入電壓(用電位器R7調節)和光電FET1的反饋之間的差值做放大。得到的輸出控製光電FET LED中的電流
，直到反饋電壓等於輸入電壓時為止。輸出電壓以線性方式跟隨輸入電壓(圖3)。也許你會認為相同器件號的光電FET沒什麼區別
，但實際上還是表現出了微小的製造差異。五隻H11F3M器件的偏差在3%以內。

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