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1 引言

80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件
，它綜合了GTR和MOSFET的優點
，控製方便、開關速度快

、工作頻率高、安全工作區大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關電源、變頻調速和有源濾波器等裝置的理想功率開關器件，在電力電子裝置中得到非常廣泛的應用。

隨著現代電力電子技術的高頻大功率化的發展
，開關器件在應用中潛在的問題越來越突出，開關過程引起的電壓、電流過衝，影響到了逆變器的工作效率和工作可靠性。為解決以上問題，過電流保護、散熱及減少線路電感等措施被積極采用，緩衝電路和軟開關技術也得到了廣泛的研究，取得了迅速的進展。本文對這方麵進行了綜述。

2 IGBT的應用領域

2.1 IGBT在變頻調速器中的應用

SPWM變頻調速係統的原理框圖如圖1所示。主回路為以IGBT為開關元件的電壓源型SPWM逆變器的標準拓撲電路，電容由一個整流電路進行充電，控製回路產生的SPWM信號經驅動電路對逆變器的輸出波形進行控製;變頻器向異步電動機輸出相應頻率
、幅值和相序的三相交流電壓，使之按一定的轉速和旋轉方向運轉。
2.2 IGBT在開關電源中的應用

圖2為典型的UPSxitongkuangtu。tadejibenjiegoushiyitaojiangjiaoliudianbianweizhiliudiandezhengliuqihechongdianqiyijibazhiliudianzaibianweijiaoliudiandenibianqi。xudianchizaijiaoliudianzhengchanggongdianshizhucunnengliangqieweichizhengchangdechongdiandianya
，chuyu“浮充”狀態。一旦供電超出正常的範圍或中斷時，蓄電池立即對逆變器供電，以保證UPS電源輸出交流電壓。 UPS逆變電源中的主要控製對象是逆變器，所使用的控製方法中用得最為廣泛的是正弦脈寬調製（SPWM）法。
並聯型有源濾波係統的原理圖如圖3所示。主電路是以IGBT為開關元件的逆變器
，它向係統注入反向的諧波值
，理論上可以完全濾除係統中存在的諧波。與變頻調速器不同的是，有源濾波器pwm控kong製zhi信xin號hao的de調tiao製zhi波bo是shi需xu要yao補bu償chang的de各ge次ci諧xie波bo的de合he成cheng波bo形xing，為wei了le能neng精jing確que的de反fan映ying出chu調tiao製zhi波bo的de各ge次ci諧xie波bo成cheng分fen，必bi須xu大da大da提ti高gao載zai波bo的de頻pin率lv。這zhe對dui開kai關guan器qi件jian的de開kai關guan頻pin率lv也ye提ti出chu了le更geng高gao的de要yao求qiu。
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3 IGBT應用中的常見問題分析

顯然，IGBT是作為逆變器的開關元件應用到各個係統中的
，常用的控製方法是pwm法。理論上和事實上都已經證明
，如果把pwm逆變器的開關頻率提高到20khz以上，逆變器的噪聲會更小
，體積會更小，重量會更輕，輸出電壓波形會更加正弦化

，可見
，高頻化是逆變技術發展方向。但是通常的pwm逆變器中，開關器件在高電壓下導通，在大電流下關斷
，處於強迫開關過程
，在高開關頻率下運行時將受到如下一係列因素的限製：
IGBT為四層結構，使體內存在一個寄生晶閘管，等效電路如圖4所示。在npn管的基極與發射極之間存在一個體區短路電rs，p型體區的橫向空穴流會產生一定的壓降
，對j3來說相當於一個正偏置電壓。在規定的範圍內，這個正偏置電壓不大

，npn管不會導通。當ic大於一定程度時，該正偏置電壓足以使npn管開通，進而使npn和pnp管處於飽和狀態
，於是寄生晶閘管開通
，柵極失去控製作用
，即擎住效應
，它使ic增大，造成過高的功耗，甚至導致器件損壞。溫度升高會使得IGBT發生擎住的icm嚴重下降。

在IGBT關斷的動態過程中
，如果dvce/dt越高
，則在j2結中引起的位移電流cj2dvce/dt越大，當該電流流過體區短路電阻rs時
，可產生足以使npn晶體管開通的正向偏置電壓，滿足寄生晶閘管開通擎住的條件，形成動態擎住效應。溫度升高會加重IGBT發生動態擎住效應的危險。

以線路電感lб≠0時電路進行分析，如圖5所示，關斷過程中，感性負載電流iб保持不變
，即iб=it+id保持不變，it從零增大到iб。由於二極管d導通，voe=0
，由於it隨時間線性減小，電感lб兩端感應電壓vl=vbc=lбdit/dt應為負值，


因此
，在關斷過程一開始，vt立即從零上升到vcem

，it在從i0下降至零期間，vt=vcem不變。直到it=0
、id=i0以後，vt才下降為電源電壓vd，如圖5（b）所示。vcem超過vd的數值取決於lб、tfi和負載電流i0，顯然過快的電流下降率di/dt（即tfi小）、過大的雜散電感lб或負載電流過大都會引起關斷時元件嚴重過電壓，且伴隨著很大的功耗。

可見，盡管IGBT的(de)快(kuai)速(su)開(kai)通(tong)和(he)關(guan)斷(duan)有(you)利(li)於(yu)縮(suo)短(duan)開(kai)關(guan)時(shi)間(jian)和(he)減(jian)小(xiao)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)，但(dan)過(guo)快(kuai)的(de)開(kai)通(tong)和(he)關(guan)斷(duan)，在(zai)大(da)電(dian)感(gan)負(fu)載(zai)下(xia)
，反(fan)而(er)是(shi)有(you)害(hai)的(de)，開(kai)通(tong)時(shi)

，存(cun)在(zai)續(xu)流(liu)二(er)極(ji)管(guan)反(fan)向(xiang)恢(hui)複(fu)電(dian)流(liu)和(he)吸(xi)收(shou)電(dian)容(rong)器(qi)的(de)放(fang)電(dian)電(dian)流(liu)


，則(ze)開(kai)通(tong)越(yue)快(kuai)，IGBT承受的峰值電流也就越大，甚至急劇上升，導致IGBT或者續流二極管損壞。關斷時
，大電感負載隨IGBT的超速開通和關斷，將在電路中產生高頻、幅值很高而寬度很窄的尖峰電壓ldi/dt，常規的過電壓吸收電路由於受到二極管開通速度的限製難以吸收該尖峰電壓，因而vce陡然上升產生過衝現象
，IGBT將承受較高的dvce/dt衝擊
，有可能造成自身或電路中其它元器件因過電壓擊穿而損壞。

（3） 在開通和關斷瞬間開關器件的狀態運行軌跡超出反向安全工作區（rbsoa）

反向安全工作區（rbsoa）是由最大集電極電流icm
、最大集射極間電壓vce和電壓上升率dvce/dt三條極限邊界線圍成的
，隨IGBT關斷時的在加dvce/dt而改變，dvce/dt越高，rbsoa越窄
，因此在開通和關斷瞬間產生的高dvce/dt將會使開關器件的狀態運行軌跡更容易超出rbsoa，影響開關可靠性。

（4） 二極管反向恢複時的dv/dt和IGBT關斷時的浪湧電壓會在開關時產生過流

眾所周知
，IGBT存在彌勒電容ccg和輸入電容cge

，IGBT兩端的電壓過衝會通過ccg耦合柵極，使柵極電壓瞬時升高，因為柵極負偏壓和輸入電容cgedecunzai，zheshizhajidianyasuodadaodegaodubijidianjideguochongyaodideduo，dantahaishikenengchaoguomenkanzhiershibenyingjiezhideguanzidaotong，yincishangxiaqiaobizhitongerguodianliu。

如ru果guo由you此ci引yin起qi的de門men極ji電dian壓ya足zu以yi使shi管guan子zi進jin入ru飽bao和he，則ze已yi不bu是shi直zhi通tong而er是shi短duan路lu了le。在zai集ji電dian極ji電dian壓ya過guo衝chong後hou的de震zhen蕩dang衰shuai減jian過guo程cheng中zhong這zhe種zhong過guo流liu或huo短duan路lu也ye會hui連lian續xu多duo次ci出chu現xian，實shi驗yan證zheng明ming這zhe一yi現xian象xiang確que實shi存cun在zai。
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4 常用的解決方法

對於以上問題，一般采取的實用性措施有：選用有效的過流保護電路、采用無感線路、積極散熱、采用吸收電路和軟開關技術。

4.1 選用有效的過流保護驅動電路

在IGBT的應用中，關鍵是過流保護。IGBT能承受的過流時間僅為幾微秒，這與scr、GTR（幾十微秒）等器件相比要小得多，因而對過流保護的要求就更高了。IGBT的過電流保護可分為兩種類型，一種是低倍數（1.2~1.5倍）的過載電流保護;

另一種是高倍數（8~10倍）的(de)短(duan)路(lu)電(dian)流(liu)保(bao)護(hu)。對(dui)於(yu)過(guo)載(zai)保(bao)護(hu)可(ke)采(cai)用(yong)瞬(shun)時(shi)封(feng)鎖(suo)門(men)極(ji)脈(mai)衝(chong)的(de)方(fang)法(fa)來(lai)實(shi)現(xian)保(bao)護(hu)。對(dui)於(yu)短(duan)路(lu)電(dian)流(liu)保(bao)護(hu)，加(jia)瞬(shun)時(shi)封(feng)鎖(suo)門(men)極(ji)脈(mai)衝(chong)會(hui)因(yin)短(duan)路(lu)電(dian)流(liu)下(xia)降(jiang)的(de)di/dt太大
，極易在回路雜散電感上感應出很高的集電極電壓過衝擊穿IGBT
，使保護失效。

因此對IGBT而言
，可靠的短路電流保護應具備下列特點：

（1） 首先應軟降柵壓，以限製短路電流峰值，延長允許短路時間，為保護動作贏得時間;
（2） 保護切斷短路電流應實施軟關斷

IGBT驅動器exb841
、m57962和hl402bjunnengmanzuyishangyaoqiu。danzhexiequdongqibunengchedifengsuomaichong，rubucaiqucuoshizaiguzhangbuxiaoshiqingkuangxiahuizaochengmeizhouqiruanguanduanbaohuyicideqingkuang
，zheyangchanshengderejileirenghuizaochengIGBT的損壞。為此可利用驅動器的故障檢測輸出端通過光電耦合器來徹底封鎖門極脈衝，或將工作頻率降低至1hz以下，在故障消失時自動恢複至正常工作頻率。

如圖6所示

，IGBT的驅動模塊m57962l上自帶保護功能，檢測電路檢測到檢測輸入端1腳為15v高電平時，判定為電流故障，立即啟動門關斷電路，將輸出端5腳置低電平
，使IGBT截止，同時輸出誤差信號使故障輸出端8腳為低電平，以驅動外接保護電路工作
，延時8~10μs封鎖驅動信號，這樣能很好地實現過流保護。經1~2ms延時後
，如果檢測出輸入端為高電平，則m57962l複位至初始狀態。

4.2 采用無感線路

由前麵的分析可知

，相對於同樣的di/dt，如果減小雜散電感lб的數值，同樣可以緩減關斷過程的dvce/dt。對於功率較大的IGBTzhuangzhi，xianlujishengdianganjiaoda
，keyongliangtiaokuanerbodemupai，zhongjianjiayicengjueyuancailiao，xianghujindiezaiyiqi
，gouchengdiganmuxian
，yeyouzhuanmendeshengchanchangjiaweizhuangzhipeitaozhizuowuganmuxian。wuganmuxianjiangdidianyaguochongdeyiyibujinweilebimianguoliuhuoduanlu，haizaiyujianqingxishoudianludefudan，jianhuaxishoudianlujiegou
，jianshaoxishoudianzugonghao
，jianshaonibianqidetiji。zheyeshihenlingrenguanzhudewenti［7］。

4.3 積極散熱

IGBT在開通過程中
，大部分時間是作為MOSFET來運行的，隻是在集射電壓vce下降過程後期，pnp晶體管由放大區至飽和區，增加了一段延緩時間，使vce波形被分為兩段。IGBT在關斷過程中，MOSFET關斷後，pnp晶(jing)體(ti)管(guan)中(zhong)的(de)存(cun)儲(chu)電(dian)荷(he)難(nan)以(yi)迅(xun)速(su)消(xiao)除(chu)，使(shi)集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流(liu)波(bo)形(xing)變(bian)為(wei)兩(liang)段(duan)，造(zao)成(cheng)集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流(liu)較(jiao)大(da)的(de)拖(tuo)尾(wei)時(shi)間(jian)。顯(xian)然(ran)
，開(kai)通(tong)關(guan)斷(duan)時(shi)間(jian)的(de)延(yan)遲(chi)會(hui)增(zeng)加(jia)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)，並(bing)且(qie)
，每(mei)開(kai)通(tong)關(guan)斷(duan)一(yi)次(ci)損(sun)耗(hao)就(jiu)會(hui)累(lei)加(jia)
，如(ru)果(guo)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)很(hen)高(gao)，損(sun)耗(hao)就(jiu)會(hui)很(hen)大(da)
，除(chu)了(le)降(jiang)低(di)逆(ni)變(bian)器(qi)的(de)效(xiao)率(lv)以(yi)外(wai)，損(sun)耗(hao)造(zao)成(cheng)的(de)最(zui)直(zhi)接(jie)的(de)影(ying)響(xiang)就(jiu)是(shi)溫(wen)度(du)升(sheng)高(gao)，這(zhe)不(bu)僅(jin)會(hui)加(jia)重(zhong)IGBT發(fa)生(sheng)擎(qing)住(zhu)效(xiao)應(ying)的(de)危(wei)險(xian)，而(er)且(qie)，會(hui)延(yan)長(chang)集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流(liu)的(de)下(xia)降(jiang)時(shi)間(jian)和(he)集(ji)射(she)電(dian)壓(ya)的(de)上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian)，引(yin)起(qi)關(guan)斷(duan)損(sun)耗(hao)的(de)增(zeng)加(jia)。顯(xian)然(ran)，這(zhe)是(shi)一(yi)個(ge)惡(e)性(xing)循(xun)環(huan)，因(yin)此(ci)
，為(wei)IGBT提(ti)供(gong)良(liang)好(hao)的(de)散(san)熱(re)條(tiao)件(jian)是(shi)有(you)效(xiao)利(li)用(yong)器(qi)件(jian)，減(jian)少(shao)損(sun)耗(hao)的(de)主(zhu)要(yao)措(cuo)施(shi)。除(chu)了(le)正(zheng)確(que)安(an)裝(zhuang)散(san)熱(re)器(qi)外(wai)
，安(an)裝(zhuang)風(feng)扇(shan)以(yi)增(zeng)強(qiang)空(kong)氣(qi)流(liu)通(tong)，可(ke)以(yi)有(you)效(xiao)的(de)提(ti)高(gao)散(san)熱(re)效(xiao)率(lv)。

4.4 軟開關技術的應用

軟開關技術是在電路中增加了小電感、電容等諧振元件， 在開關過程前後引入諧振， 使開關條件得以改善， 從而抑製開關過程的電壓、電流過衝，提高開關可靠性。目前
， 適用於dc/dc和dc/ac變換器的軟開關技術有如下幾種：

（1） 諧振型變換器
諧振型變換器是負載r與lc電(dian)路(lu)組(zu)成(cheng)的(de)負(fu)載(zai)諧(xie)振(zhen)型(xing)變(bian)換(huan)器(qi)，其(qi)諧(xie)振(zhen)元(yuan)件(jian)在(zai)整(zheng)個(ge)開(kai)關(guan)周(zhou)期(qi)中(zhong)一(yi)直(zhi)工(gong)作(zuo)
，這(zhe)種(zhong)變(bian)換(huan)器(qi)的(de)工(gong)作(zuo)狀(zhuang)態(tai)與(yu)負(fu)載(zai)的(de)關(guan)係(xi)很(hen)大(da)
，對(dui)負(fu)載(zai)的(de)變(bian)化(hua)很(hen)敏(min)感(gan)。

（2）準諧振型變換器qrcs
如圖7所示（a）（b）fenbieweilingdianyazhunxiezhendianluhelingdianliuzhunxiezhendianlu，zheleibianhuanqidexiezhenyuanjianzhicanyunengliangbianhuandemouyijieduanerbushiquanguocheng
，yibancaiyongmaichongpinlvtiaozhifatiaokongshuchudianyaheshuchugonglv。

（3）諧振型直流環節逆變器rdcli
在逆變器直流母線與直流輸入端之間加入一個輔助lc諧振回路，如圖8所示
，工作時啟動lc電路不斷地諧振
，使並聯在直流母線上的電容電壓vc周期性地變為零，從而為後麵的逆變橋的開關器件創造零電壓開關條件。該電路中電壓vc的諧振峰值很高，增加了對開關器件耐壓的要求。

（4）零開關pwm變換器
這類變換器是在qrcsjichushangjiaruyigefuzhukaiguanguanlaikongzhixiezhenyuanjiandexiezhenguocheng
，jinzaixuyaokaiguanzhuangtaizhuanbianshicaiqidongxiezhendianlu


，weikaitonghuoguanduanzhizaolingdianyahuolingdianliutiaojian。rutu9所示（a）為零電壓pwm開關電路，（b）為零電流pwm開關電路
，變換器可按恒定頻率的pwm方式運行，但是由於諧振電感是與主開關管串聯，lr除承受諧振電流外還要提供負載電流，這樣電源供給負載的全部能量都要經過諧振電感lr，使得電路中存在很大的環流能量，增大電路的導通損耗;
此外，lr的儲能極大的依賴輸入電壓和負載電流

，電路很難在很寬的輸入電壓變化範圍和負載電流大範圍變化時滿足零電壓
、零電流開關條件。

（5）零轉換pwm變換器
如果將諧振電感lr及其輔助開關電路改為與主開關並聯
，主開關通態時，lr中不流過負載電流，僅在“開通”與“關斷”時啟動輔助開關電路形成主開關管的零電壓或零電流條件

， 改變主開關通
、斷(duan)狀(zhuang)態(tai)，開(kai)通(tong)或(huo)關(guan)斷(duan)電(dian)路(lu)。這(zhe)時(shi)輔(fu)助(zhu)電(dian)路(lu)的(de)工(gong)作(zuo)不(bu)會(hui)增(zeng)加(jia)主(zhu)開(kai)關(guan)管(guan)的(de)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)壓(ya)力(li)

，逆(ni)變(bian)器(qi)可(ke)以(yi)在(zai)很(hen)寬(kuan)的(de)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)範(fan)圍(wei)和(he)負(fu)載(zai)電(dian)路(lu)範(fan)圍(wei)內(nei)工(gong)作(zuo)在(zai)軟(ruan)開(kai)關(guan)狀(zhuang)態(tai)，且(qie)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)無(wu)功(gong)交(jiao)換(huan)被(bei)削(xue)減(jian)到(dao)最(zui)小(xiao)。這(zhe)種(zhong)pwm變換器稱為零轉換pwm變換器，如圖10所示：（a）為零電壓轉換pwm開關電路，（b）為零電流轉換pwm開關電路。電路簡單，效率高是他們的主要特點。

軟開關技術需要附加額外的開關元件、輔助電源、檢測手段、控kong製zhi策ce略lve等deng
，輔fu助zhu開kai關guan驅qu動dong電dian路lu要yao與yu主zhu開kai關guan驅qu動dong電dian路lu隔ge離li
，且qie對dui輔fu助zhu電dian路lu提ti出chu了le更geng快kuai的de開kai關guan時shi間jian要yao求qiu。電dian路lu與yu控kong製zhi的de複fu雜za化hua帶dai來lai了le成cheng本ben的de提ti高gao與yu可ke靠kao性xing的de降jiang低di，故gu許xu多duo軟ruan開kai關guan技ji術shu的de推tui廣guang應ying用yong受shou到dao很hen大da的de限xian製zhi。如ru果guo軟ruan開kai關guan技ji術shu采cai用yong新xin的de驅qu動dong技ji術shu
，可ke使shi用yong與yu主zhu開kai關guan驅qu動dong信xin號hao有you簡jian單dan邏luo輯ji關guan係xi的de信xin號hao控kong製zhi輔fu助zhu開kai關guan，甚shen至zhi由you電dian路lu進jin行xing自zi驅qu動dong，那na麼me控kong製zhi、檢測、驅動等附加電路可全部去掉，這將是軟開關技術發展的方向之一。

4.5 吸收電路

xishoudianlu，youchenghuanchongdianlu。taliyongwuyuanqijiantongguocanshupipeishizhukaiguanguangongzuoyulingdianyahuolingdianliuzhuangtai，dadaoyizhidianlidianziqijiandeguanduanshiguodianya

、開通時過電流，減小器件的開關損耗的目的。吸收電路一般分為兩類：

（1） 吸收電路中儲能元件的能量如果消耗在其吸收電阻上，稱其為耗能式吸收電路；
（2） 若吸收電路能夠將其儲能元件的能量回饋給負載或電源，稱其為能量回饋型吸收電路，或稱為無損吸收電路。
chuantongdehaonengshixishoudianlubanengliangtongguodianzuxiefang，zhuguankaiguansunhaodejiangdiyiewaixishousunhaodezengjiaweidaijia，erwusunxishoujishunenggoujiangchunengyuanjianzhongdenenglianghuikuizhidianyuan、負載或大幅削減其數值，大大增加吸收強度，達到軟開關目的。

實現橋臂無損吸收見諸文獻的大約有如圖11所示幾種。圖11（a）（e）電路從理論上實現了逆變器橋臂的無源無損吸收
，但用作能量回饋的變壓器，其副邊的二極管耐壓值過高是該電路的致命弱點;

圖11（c）（d）實際上是用於橋式dc-dc變換器的結構
， 這一拓撲中電感單純用作抑製吸收電容充放電電流
，圖11 幾種無源無損耗吸收電路對於一般逆變橋臂則起不到開通緩衝的作用; 圖11（b）［13］是無損吸收電路研究的最新水平
，它完全用lcd網絡實現無損吸收
，避免了互感元件帶來的一係列問題
， 最大限度地歸並元件， 工程適用化程度高；但也存在一些問題，如主開關關斷衝擊電壓和開通電流過衝相互製約
， 且負載依賴性大
， 工作適應範圍小，設計
、安裝難度大，多相臂間可能相互影響等。吸收電路是最早被采用的開關應力改善方法。相比軟開關技術
，他在變換效率
、可靠性等指標上以及性價比方麵占優。但也存在一些缺點：具有較強負載依賴性；使用變壓器時
，負邊二極管耐壓值過高; 吸收網絡分析困難
，附加損耗大等，這些都是與無源方式的固有性質相關聯的。

5 結束語

為降低pwm逆變器中的功率元件IGBT高頻工作下的開關損耗，改善線路電感分布電容等因素對開關及其工作過程的影響，抑製開關在開通和關斷時的di/dt和dv/dt
，本文介紹了多種解決方法。

選用帶有效過流保護的驅動電路是IGBT開關逆變器正常工作的前提
，目前國內外常用的IGBT驅動電路模塊都帶有過流保護功能，對短路電流能夠正確的判斷並采取相應措施
，對開關器件實現可靠的保護。

jijisanreshibibukeshaodecuoshi
，suirantabunengcongbenzhishangjiangdikaiguansunhao

，tigaokaiguankekaoxing，danbaochiyidingdelengquetiaojianbujinkeyijianshaofashengqingzhuxiaoyingdeweixian，yekeyizaiyidingchengdushangyizhikaiguansunhao。

軟開關是在開關處於零電壓或零電流狀態時開通或關斷
，則理論上由於元件在開關前後狀態不變，即di/dt＝0或dv/dt＝0
，jiumeiyouleguoyaheguoliudewenti，erqie，kaiguansudubushouyingxiang，sunhaojiujianshaole。danweilezhizaoruankaiguan

，kaitongzhuangtaixiadedianyadianliunanmianhuizuoxiangyingdebianhua（振蕩）
，增加通態損耗，由於導通壓降不是很大
，損耗不會增加很多。

xishoudianlushijiangzaiyuanjiankaiguanguochengzhongchanshengdeguoyaheguoliudengduoyudenengliangxishou，bingcunchuzaichunengyuanjianli，dengkaiguanchuyuwendingzhuangtaishi，zaixiangbanfabachucundenengliangfankuidaodianyuanhefuzaizhong，yitigaonibianqidexiaolv。

采用無感母線可以減輕吸收電路的負擔，簡化吸收電路結構
，降低吸收電阻功耗，減少逆變器的體積。

以上幾項措施的采用，使得IGBT即便在高開關頻率下也能安全
、經濟、可靠的運行。

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