為芯片和電子係統加速創新提供軟件、知識產權（IP）及服務的全球性領先供應商新思科技公司（Synopsys, Inc.）日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現了一個關鍵性的裏程碑

，即采用三星的14LPE工藝成功實現了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統的平麵工藝在功耗與性能上明顯出超
，但從二維晶體管到三維晶體管的轉變帶來了幾種新的IP及EDA工具挑戰
，如建模就是其中的一大挑戰。兩公司多年的合作為FinFET器件的3D寄生參數提取、電路仿真和物理設計規則支持提供了基礎性的建模技術。而Synopsys的綜合解決方案
，涵蓋嵌入式存儲器、物理設計、寄生參數提取、時序分析及簽核（signoff），全部構建於雙方合作成果的基礎之上。

亮點：

該裏程碑有助於加速對FinFET技術的采用，以實現更快和更高能效的係統級芯片（SoC）
該合作為3D器件建模和物理設計規則支持奠定了基礎
測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys DesignWare嵌入式存儲器的成功采用

“FinFET晶體管可以實現更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時帶來了嚴峻的挑戰
，”三星電子器件解決方案部負責係統LSI底層架構設計中心的副總裁Kyu-Myung Choi博士說道。“我們之所以選擇Synopsys作為我們的FinFET技術合作夥伴來解決這些挑戰
，是因為我們在20納米和其它節點上的成功合作記錄。我們將繼續彙聚我們的專有技術來提供創新的FinFET解決方案。”

圖題：FinFET晶體管

Synopsys的具備FinFET能力的IP

Synopsys與三星通過緊密合作開發了一款測試芯片，它可以用來驗證三星先進的14納米FinFET工藝以及Synopsys的DesignWare嵌入式存儲器
，後者采用了Synopsys 的STAR（自測試和自修複）存儲係統解決方案。該測試芯片實現了仿真模型與FinFET工藝的相互關聯
，同時包含了測試結構

、標準單元
、一個鎖相環（PLL）以及多個嵌入式SRAM。存儲器實體包括專為在非常低的電壓下運行而設計的高密度SRAM和可驗證工藝性能的高速SRAM。

Synopsys麵向FinFET工藝的設計工具

從平麵到基於FinFET的3D晶體管的轉變是一項重大改變
，它需要工具開發商
、晶圓代工廠和早期采用者之間緊密的技術協作，以提供一種強大的解決方案。Synopsys的高精確度建模技術為具備FinFET的Galaxy Implementation Platform實現平台奠定了基礎。該平台包括IC Compiler物理設計、IC Validator物理驗證、StarRC寄生參數提取、SiliconSmart特征描述、用於FastSPICE仿真的CustomSim和FineSim以及HSPICE器件建模和電路仿真。

 “三星電子一直是我們共同投入和投資的一個核心夥伴，共同致力於為FinFET技術開發完整的解決方案，” Synopsys高級副總裁兼設計實現部總經理Antun Domic說道。“Synopsys與三星的廣泛合作使我們能夠提供業內頂級的技術和IP

，以幫助設計師們實現FinFET晶體管設計的全部潛在優勢。”

關於Synopsys

Synopsys加速了全球電子市場中的創新。作為一家電子設計自動化（EDA）和半導體IP領域內的領導者，其軟件
、IP和服務幫助工程師應對設計、驗證
、係統和製造中的各種挑戰。自1986年以來
，全世界的工程師使用Synopsys的技術已經設計和創造了數十億個芯片和係統。