FDMC8010的產品特性：

• 3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸節省66%的線路板空間
• 具有業界最佳RDS(ON)，最大僅為1.3 mΩ
• 減小了傳導損耗，從而提高散熱效率25%

FDMC8010的應用範圍：

• 要求在小空間內實現最低RDS(ON) 的電源應用

在(zai)能(neng)源(yuan)效(xiao)率(lv)標(biao)準(zhun)和(he)最(zui)終(zhong)係(xi)統(tong)要(yao)求(qiu)的(de)推(tui)動(dong)之(zhi)下(xia)，電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)需(xu)要(yao)有(you)助(zhu)於(yu)縮(suo)減(jian)其(qi)應(ying)用(yong)電(dian)源(yuan)的(de)外(wai)形(xing)尺(chi)寸(cun)且(qie)不(bu)影(ying)響(xiang)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)高(gao)能(neng)效(xiao)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。飛(fei)兆(zhao)半(ban)導(dao)體(ti)公(gong)司(si)(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業界最佳功率密度和低傳導損耗，能夠滿足這些需求。

FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench® 技術
，非常適合要求在小空間內實現最低RDS(ON) 的應用
，包括：高性能DC-DC降壓轉換器、負載點(POL)、高效負載開關和低端切換、穩壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設計人員使用FDMC8010器件，能夠將封裝尺寸從5mm x 6mm減小為3.3mm x 3.3mm，節省66%的MOSFET占位麵積。

在隔離型1/16th brick DC-DC轉換器應用中
，Power 33 MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ
，與具有同等占位麵積的競爭解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導損耗
，從而提高散熱效率多達25%。 

特性和優勢

• 高性能技術，具有業界最佳RDS(ON)
  
  ，最大僅為1.3 mΩ
• 3.3mm x 3.3mm行業標準外形尺寸，PQFN
  
  ，節省線路板空間
• FDMC8010具有更低的傳導損耗
  ，能夠實現比競爭解決方案更高的功率密度和更高的效率。
• 無鉛RoHS封裝

新增PowerTrench®器件豐富了飛兆半導體中等電壓範圍MOSFET產品陣容，作為齊全的PowerTrench MOSFET產品係列的一部分，它能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求，在實現更高能效水平方麵發揮重要的作用。

價格：訂購1,000個  FDMC8010     每個0.87美元

供貨: 按請求提供樣品

交貨期: 收到訂單後8至12周內

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