安森美半導體汽車技術及車身和動力係統解決方案
發布時間:2010-12-28 來源:安森美半導體
中心議題:
隨(sui)著(zhe)人(ren)們(men)對(dui)汽(qi)車(che)舒(shu)適(shi)性(xing)等(deng)方(fang)麵(mian)要(yao)求(qiu)的(de)提(ti)高(gao),車(che)身(shen)電(dian)子(zi)控(kong)製(zhi)和(he)動(dong)力(li)性(xing)的(de)重(zhong)要(yao)性(xing)日(ri)益(yi)突(tu)顯(xian),越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)的(de)汽(qi)車(che)開(kai)始(shi)裝(zhuang)備(bei)高(gao)性(xing)能(neng)的(de)車(che)身(shen)控(kong)製(zhi)係(xi)統(tong)和(he)先(xian)進(jin)的(de)管(guan)理(li)係(xi)統(tong)。這(zhe)類(lei)係(xi)統(tong)的(de)增(zeng)加(jia)和(he)升(sheng)級(ji)為(wei)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)的(de)應(ying)用(yong)開(kai)辟(pi)了(le)巨(ju)大(da)的(de)空(kong)間(jian)。
danshi,mianduihuanbaohefengfuxiaofeizhetiyandexuqiu,yijiqicheqijiandezuiyangeguifan,zhizaoshangyifangmianyaozaichanpindeshejihezhizaodengfangmiangengjiazhuzhongkekaoxingzhibiaoderenzheng,lingyifangmianyeyaobaozhengchanpinzaitigonggenggaoxingnengdetongshi,fuhehuanbaojienengfangmiandeyaoqiu。benwenjiangjieheansenmeibandaotideqichejishuzhuanchang,tantanqichecheshenjidonglixitongjiejuefangansuocaiyongdegezhongqijian。
先進的汽車工藝技術
汽車電子設備的增加使汽車的各個部分都無法避免寄生信號,甚至可能出現80 VV的de峰feng值zhi,汽qi車che設she計ji團tuan隊dui必bi須xu考kao慮lv到dao這zhe一yi點dian。用yong於yu汽qi車che的de模mo塊kuai和he組zu件jian需xu要yao能neng夠gou承cheng受shou這zhe種zhong峰feng值zhi並bing保bao證zheng實shi現xian應ying有you的de功gong能neng。安an森sen美mei半ban導dao體ti利li用yong成cheng熟shu的de汽qi車che技ji術shu能neng力li,開kai發fa了le一yi套tao專zhuan門men的de高gao電dian壓ya汽qi車che電dian源yuan技ji術shu,實shi現xian複fu雜za的de高gao電dian壓ya係xi統tong級ji芯xin片pian(SoC)解決方案,滿足最大電壓和數字門集成的要求。
同時,汽車中越來越多的電子含量對電磁兼容性的要求越來越高,汽車製造商也製定了相應的性能標準,旨在使車載網絡(IVN)應用擁有更高的抗ESD脈衝和抗EMI能力。安森美半導體利用創新的I3T50/I3T80技術提供最佳的一流器件,通過深溝槽隔離等工藝既實現了先進功能,又保證了可靠設計,降低了芯片上不同單元(cell)結構之間的幹擾。
安森美半導體的一係列技術允許使用高達100V的電源,有利於元件的集成——包括嵌入式微處理器內核。安森美半導體的汽車ASIC和專用標準產品(ASSP)解決方案廣泛用於動力總成(包括環境溫度≥150℃的高溫應用)、安全、車身、儀表板、IVN、傳感器和驅動器應用。
安森美半導體是汽車MOSFET市場的主要供應商。除了平麵MOSFET產品係列,該公司還提供40 V和60 V溝槽MOSFET。溝槽技術是為低Rds((on))開關應用優化的,與平麵技術相比,更適用於線性操作模式。
閱讀全部內容請下載PDF文件:http://www.0-fzl.cn/whitepaper/download?id=231
- 先進的汽車工藝技術
- 車身及便利應用解決方案
- 動力係統解決方案
隨(sui)著(zhe)人(ren)們(men)對(dui)汽(qi)車(che)舒(shu)適(shi)性(xing)等(deng)方(fang)麵(mian)要(yao)求(qiu)的(de)提(ti)高(gao),車(che)身(shen)電(dian)子(zi)控(kong)製(zhi)和(he)動(dong)力(li)性(xing)的(de)重(zhong)要(yao)性(xing)日(ri)益(yi)突(tu)顯(xian),越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)的(de)汽(qi)車(che)開(kai)始(shi)裝(zhuang)備(bei)高(gao)性(xing)能(neng)的(de)車(che)身(shen)控(kong)製(zhi)係(xi)統(tong)和(he)先(xian)進(jin)的(de)管(guan)理(li)係(xi)統(tong)。這(zhe)類(lei)係(xi)統(tong)的(de)增(zeng)加(jia)和(he)升(sheng)級(ji)為(wei)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)的(de)應(ying)用(yong)開(kai)辟(pi)了(le)巨(ju)大(da)的(de)空(kong)間(jian)。
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先進的汽車工藝技術
汽車電子設備的增加使汽車的各個部分都無法避免寄生信號,甚至可能出現80 VV的de峰feng值zhi,汽qi車che設she計ji團tuan隊dui必bi須xu考kao慮lv到dao這zhe一yi點dian。用yong於yu汽qi車che的de模mo塊kuai和he組zu件jian需xu要yao能neng夠gou承cheng受shou這zhe種zhong峰feng值zhi並bing保bao證zheng實shi現xian應ying有you的de功gong能neng。安an森sen美mei半ban導dao體ti利li用yong成cheng熟shu的de汽qi車che技ji術shu能neng力li,開kai發fa了le一yi套tao專zhuan門men的de高gao電dian壓ya汽qi車che電dian源yuan技ji術shu,實shi現xian複fu雜za的de高gao電dian壓ya係xi統tong級ji芯xin片pian(SoC)解決方案,滿足最大電壓和數字門集成的要求。
同時,汽車中越來越多的電子含量對電磁兼容性的要求越來越高,汽車製造商也製定了相應的性能標準,旨在使車載網絡(IVN)應用擁有更高的抗ESD脈衝和抗EMI能力。安森美半導體利用創新的I3T50/I3T80技術提供最佳的一流器件,通過深溝槽隔離等工藝既實現了先進功能,又保證了可靠設計,降低了芯片上不同單元(cell)結構之間的幹擾。
安森美半導體的一係列技術允許使用高達100V的電源,有利於元件的集成——包括嵌入式微處理器內核。安森美半導體的汽車ASIC和專用標準產品(ASSP)解決方案廣泛用於動力總成(包括環境溫度≥150℃的高溫應用)、安全、車身、儀表板、IVN、傳感器和驅動器應用。
安森美半導體是汽車MOSFET市場的主要供應商。除了平麵MOSFET產品係列,該公司還提供40 V和60 V溝槽MOSFET。溝槽技術是為低Rds((on))開關應用優化的,與平麵技術相比,更適用於線性操作模式。
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