產品特性：

• 耐壓為600V
• 導通電阻為0.4Ω
• 解決可靠性、高溫工藝引起的特性不均等問題

應用範圍：

• 變頻器和轉換器

羅姆宣布已開發完成使用SiC的DMOSFET（double-diffusion metal-oxide-semiconductor FET），並已開始量產。計劃從2010年12月開始量產供貨定製產品
，2011年夏季供貨通用產品。計劃此後花1年左右的時間在耐壓為600V～1200V
、電流為5A～20A的範圍內充實產品。

羅姆過去一直積極致力於SiC的元件開發。2010年4月已開始量產SiC製肖特基勢壘二極管（SBD）。羅姆表示，此次通過開發自主的工藝技術和篩選法
，解決了由SiC結晶缺陷帶來的可靠性課題和由高溫工藝引起的特性不均等量產SiC製晶體管所麵臨的所有問題，成功實現了量產。

目標是以在空調、太陽能電池及產業設備等產品中進行電力轉換的變頻器和轉換器用途為首，實現廣泛的應用。另外，生產基地方麵，晶圓製造在德國SiCrystal AG進行，前工序在ROHM APOLLO DEVICE（福岡縣）進行，後工序在泰國ROHM Integrated Systems (Thailand)進行。

此次已開始量產的產品，耐壓為600V
，導通電阻為0.4Ω，導通電阻降至相同耐壓、相同芯片尺寸的Si製DMOSFET的1/10以下。另外
，開關時間縮短到了低導通電阻的Si製IGBT的約1/5以下。羅姆指出，這樣同時實現了Si製元件無法實現的高速度和低導通電阻。

將具有上述特性的SiC製功率晶體管應用於變頻器和轉換器等，除可以大幅減少損失外，由於隨著高頻化、周邊部件能夠實現小型化，因此還能減小封裝麵積和降低周邊部件的成本。另外，羅姆指出與Si製晶體管相比
，高溫時電阻升高得非常少，因此還具有輸出功率高時導通損失小的優點。與現在正銷售的SiC-SBD組合構成電源回路
，能夠以更低的耗電量，為開發小型係統做出貢獻。

在此次的量產中，羅姆通過開發自主的電場緩和構造和開發自主的篩選法確保了可靠性
，並通過開發在SiC特有的高達1700℃的高溫工藝下抑製特性劣化的技術等
，得以“全球首次”（羅姆）確立SiC晶體管（DMOSFET）的量產體製。

羅姆將SiC元件業務定位於新一代半導體業務的核心技術之一，以強化DMOSFET和SBD的更高耐壓、更大電流產品的產品陣容。另外
，羅姆表示，將進一步擴充配備溝道構造MOSFET和SiC元件的IPM（intelligent power module）等SiC關聯產品的產品陣容，並推進產品的量產。