PSMN1R0-30YLC的產品特性：

• Power-SO8封裝
• 擁有業界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ
• 超低QG
  、QGD和QOSS確保了高係統效率

PSMN1R0-30YLC的應用範圍：

• 電子產品
• 隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器
  、同步整流器

恩智浦半導體NXP SemicONductors N.V.日前發布了NextPower係列首款30V Power-SO8 MOSFET
，擁有業界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC
，專門針對4.5V開關應用優化，采用LFPAK封裝技術，是目前業界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。

特性和優勢：

針對4.5V柵極驅動的低RDSon而專門優化的先進NextPower技術

Power-SO8封裝確保高可靠性，溫度最高可達175℃

超低QG、QGD和QOSS確保了高係統效率

PSMN1R0-30YLC現已開始供貨。

PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK係列MOSFET的首款產品，全係列產品將在未來幾個月中陸續推出。

積極評論：

恩智浦半導體Power MOSFET營銷經理Charles Limonard表示：“恩智浦NextPower係列MOSFET將幫助設計者實現高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力於開發和創新，並不斷改善導通電阻RDSon、開關速度和熱效率等關鍵參數
，從而推出具有業界領先水平的MOSFET器件。”

Limonard還表示，“PSMN1R0-30YLC具有領先於同類器件的超低RDSon，可顯著降低功耗；這反過來能提高新一代電子產品的能效，使能效等級更高，尺寸更小”。

鏈接

采用LFPAK封裝的N溝道30 V 1.15 mΩ 邏輯電平MOSFET－PSMN1R0-30YLC數據手冊和產品信息：http://www.nxp.com/pip/PSMN1R0-30YLC.html