新聞事件：

• 惠普與海力士推向電阻式隨機存取內存

事件影響：

• 憶阻器技術準備邁向商業化

惠普(HP)近日宣布與韓國業者海力士(Hynix)簽署合作研發協議，旨在將憶阻器(memristor)技術商業化；這兩家公司將共同開發新的材料與製程整合技術

，好將HP的憶阻器技術由研發階段，推向以電阻式隨機存取內存(resistive random access memory，ReRAM)形式呈現的商業化開發階段。

HP表示，雙方的合作並非是排他的，該公司也有可能與其它廠商在 ReRAM 領域合作；而HP資深院士暨HP信息與量子係統實驗室創始總監Stan WilliAMS表示
，該公司本身並不打算涉足ReRAM 業務。他在接受EETimes美國版采訪時透露，未來HP期望將ReRAM運用在自家產品中
，但目前尚不能公開是哪種產品。

Williams指出，在初期，HP將與Hynix在芯片方麵進行合作；接下來
，HP期望將合作範圍擴及其它內存廠商。他表示
，這將讓產業界能以具競爭力的價格買到ReRAM。

Hynix將在自有實驗室進行憶阻器的實作；該公司在內存技術方麵是多方下注，目前也涉足其它競爭性內存技術的研究，包括與三星電子(Samsung ElectrONics)共同研發 MRAM 技術，以及與Grandis合作研發一種稱為「自旋轉移力矩隨機存取內存(spin-transfer torque RAM)」的新一代MRAM技術。

ReRAM與FeRAM
、MRAM還有相變化內存(phase-change memory)，都是新一代的內存技術；根據HP的介紹，ReRAM是一種低功耗的非揮發性內存，具備取代閃存的潛力，此外也有機會用以做為通用儲存媒介──也就是能扮演目前閃存、DRAM甚至是硬盤機等儲存裝置的角色。

Williams表示，采用ReRAM的終端產品預計在2013年底問世：「這是一種黑馬級的技術，我認為它將會脫穎而出。」HP與Hynix尚未定義出將采用ReRAM的第一批終端產品

，但Williams認為，該種內存技術是固態儲存、PC主存儲器與其它產品的理想選擇。