公司事件：

• Digi-Key現在正在庫存麵向通用微波應用的Cree氮化镓(GaN)HEMT晶體管

行業影響：

• 是高效率
  
  、多倍頻帶寬性能方麵微波應用的理想選擇
• 占位麵積較小的封裝中可提供高達6GHz的高頻率、高增益及低寄生電容

日前，Digi-Key Corporation與Cree, Inc.共同宣布，Digi-Key現在正在庫存麵向通用微波應用的Cree氮化镓(GaN)HEMT晶體管。Digi-Key的Cree產品係列包括SiC功率元件
、SiC MESFET
、高亮度與高功率LED以及現在還包括的GaN HEMT晶體管。

功率水平介於10W～90W的Cree GaN HEMT通用晶體管是需要高效率、多倍頻帶寬性能方麵微波應用的理想選擇。這些晶體管在占位麵積較小的封裝中可提供高達6GHz的高頻率
、高增益及低寄生電容。這可實現更小
、更亮且能效更高的係統，與采用其他微波晶體管技術相比
，這些係統通常所需的放大器元件數較少。