產品特性：

• 將提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度
• 尺寸僅為8x8mm

應用範圍：

• 功率MOSFET
   

功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度。

在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內
，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業標準的TO-220daxiaodeluopian，bingtigongyigeluoludejinshuloujihanpan，youxiaopaichuneibuchanshengdereliang。boxingfengzhuangjiangshishejirenyuannenggoushejigengbodedianyuanwaike，weidangjinshichangtigongjincoushishangdexinchanpin。kehukeconglianggegongsihuodezhekuanxindebiaozhunchanpin：意法半導體和英飛淩（Infineon Technologies）均將推出采用這個創新封裝的MOSFET晶體管，意法半導體的產品名稱是PowerFLAT™ 8x8 HV

，英飛淩的產品名稱是ThinPAK 8x8，從而為客戶提供高品質雙貨源供貨。

新封裝的纖薄外形和優異的散熱性能
，結合意法半導體MDmesh V技術的無與倫比的超低單位裸片麵積導通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性
，節省印刷電路板空間。意法半導體將在現有的MDmesh V 產品陣容內加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發布該係列首款產品：650V STL21N65M5。

意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“我(wo)們(men)與(yu)英(ying)飛(fei)淩(ling)的(de)合(he)作(zuo)卓(zhuo)有(you)成(cheng)效(xiao)，已(yi)開(kai)發(fa)出(chu)一(yi)項(xiang)高(gao)性(xing)能(neng)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)
，我(wo)們(men)的(de)客(ke)戶(hu)可(ke)以(yi)獲(huo)得(de)尖(jian)端(duan)的(de)應(ying)用(yong)設(she)計(ji)和(he)全(quan)球(qiu)兩(liang)大(da)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)廠(chang)商(shang)支(zhi)持(chi)的(de)芯(xin)片(pian)封(feng)裝(zhuang)。這(zhe)項(xiang)具(ju)有(you)突(tu)破(po)性(xing)的(de)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)結(jie)合(he)意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)獨(du)有(you)的(de)業(ye)內(nei)最(zui)先(xian)進(jin)的(de)MDmesh V製程，我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產品中最高的功率密度和能效。”

STL21N65M5的主要特性：

• RDS(ON)：0.190?
• 最大額定輸出電流 （ID）：17A
• 結到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W

采用PowerFLAT 8x8 HV封裝的STL21N65M5現已提供樣片，量產定於2010年7月。

關於意法半導體的MDmesh™ V技術：

MDmesh V是意法半導體的新一代多漏極網格技術，該項技術可最大限度地降低導通損耗，同時不會對開關性能產生很大的影響。采用這項技術的MOSFETnenggourangshejirenyuanfuheduidianzichanpinnengxiaoyougenggaoyaoqiudehuanbaoshejifagui
，hainengrangtamenyoujihuizaizaishengnengyuandengxinxingchanyezhongxunzhaoshichangjiyu，yinweizaiquanqiufazhanxinxingchanyedelangchaozhong，zuidaxiandudijiangdigonglvzhuanhuansunhaoshijiangdimeiwachengbendeguanjiansuozai。

MDmesh Vjiagougaijinlejingtiguandeloujijiegou

，keyouxiaojiangdilouyuandianyajiang
，jieguo，luopiandanweimianjidedaotongdianzufeichangdi
，chicunxiaodeqijianyenengqudechaodidetongtaisunhao。shishishang，zaicaiyongTO-220標準封裝的650V MOSFET產品中
，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。

MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低，在高速開關時能效優異
，RDS(ON) x Qg 性能因數 (FOM)很小。新產品650V的擊穿電壓高於競爭品牌的600V產品的擊穿電壓，為設計工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高，具有出色的耐dV/dt斜率能力，並100%經過雪崩測試。另一項優勢是
，整齊的關斷波形有助於簡化柵極控製，降低對EMI濾波的要求。

現已上市的MDmesh V技術產品采用各種工業標準封裝
，包括TO-220、TO-220FP
、I2PAK、TO-247和Max247。