產品特性：

• 采用芯片級MICRO FOOT®封裝
• 采用第三代TrenchFET P溝道技術
• 將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半
• 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規範
• 符合RoHS指令2002/95/EC

應用範圍：

• 智能手機、PDA和MP3播放器等個人手持設備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位麵積內
，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。

新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現超精細
、亞微米的節距工藝，將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V電壓下的導通電阻分別為32 mΩ、46mΩ

、65mΩ和120mΩ。

Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術
，器件的芯片級封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內提供了超低導通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB麵積隻有TSOP-6的1/6
，而導通電阻則很相近，從而為其他產品功能騰出空間
，或是使終端產品變得更小。

MOSFE的低導通電阻意味著負載
、充電器和電池開關中更低的壓降
，使智能手機
、PDA和MP3播放器等個人手持設備能夠更快地充電，在兩次充電之間的電池壽命更長。

MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規範，符合RoHS指令2002/95/EC。

Si8499DB TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，並已實現量產
，大宗訂貨的供貨周期為十六周。