八種常用電容器的結構和特點
發布時間:2009-10-27 來源:中國工業網
中心議題:
電容器是電子設備中常用的電子元件,下麵對幾種常用電容器的結構和特點作以簡要介紹,以供大家參考。
1鋁電解電容器:
它是由鋁圓筒做負極、裏麵裝有液體電解質,插人一片彎曲的鋁帶做正極製成。還需經直流電壓處理,做正極的片上形成一層氧化膜做介質。其特點是容量大、但是漏電大、穩定性差、有正負極性,適於電源濾波或低頻電路中,使用時,正、負極不要接反。
2鉭铌電解電容器:
它用金屬鉭或者铌做正極,用稀硫酸等配液做負極,用鉭或铌表麵生成的氧化膜做介質製成。其特點是:體積孝容量大、性能穩定、壽命長。絕緣電阻大。溫度性能好,用在要求較高的設備中。
3、薄膜電容器
結構與紙質電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路
4、瓷介電容器
穿心式或支柱式結構瓷介電容器,它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用不能做成大的容量,受振動會引起容量變化特別適於高頻旁路
5、獨石電容器
(多層陶瓷電容器)在若幹片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合後一次繞結成一塊不可分割的整體,外麵再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器,高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的性能,體積極小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路
6、紙質電容器
一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。製造工藝簡單,價格便宜,能得到較大的電容量
一般在低頻電路內,通常不能在高於3~4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高,穩定性也好,適用於高壓電路
7、微調電容器
電容量可在某一小範圍內調整,並可在調整後固定於某個電容值。
瓷介微調電容器的Q值高,體積也小,通常可分為圓管式及圓片式兩種。
8、雲母和聚苯乙烯電容
雲母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東,結構簡單,但穩定性較差。
線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的,故容量隻能變小,不適合在需反複調試的場合使用[page]
9、陶瓷電容器
用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,並用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極製成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
具有小的正電容溫度係數的電容器,用於高穩定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限於在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈衝電路中,因為它們易於被脈衝電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用於高頻電路
雲母電容器就結構而言,可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在雲母片上用真空蒸發法或燒滲法鍍上銀層而成,由於消除了空氣間隙,溫度係數大為下降,電容穩定性也比箔片式高。頻率特性好,Q值高,溫度係數小不能做成大的容量廣泛應用在高頻電器中,並可用作標準電容器
10、玻璃釉電容器
它是由一種濃度適於噴塗的特殊混合物噴塗成薄膜而成,介質再以銀層電極經燒結而成獨石結構性能可與雲母電容器媲美,能耐受各種氣候環境,一般可在200℃或更高溫度下工作,額定工作電壓可達500V,損耗tgδ0.0005~0.008
電容器主要特性參數:
標稱電容量和允許偏差
標稱電容量是標誌在電容器上的電容量。
電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差範圍稱精度。
精度等級與允許誤差對應關係:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據用途選齲
額定電壓
在最低環境溫度和額定環境溫度下可連續加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修複的永久損壞。
絕緣電阻
直流電壓加在電容上,並產生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.
當電容較小時,主要取決於電容的表麵狀態,容量〉0.1uf時,主要取決於介質的性能,絕緣電阻越小越好。
電容的時間常數:為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數,他等於電容的絕緣電阻與容量的乘積。
損耗
電容在電場作用下,在單位時間內因發熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規定了其在某頻率範圍內的損耗允許值,電容的損耗主要由介質損耗,電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下,電容器的損耗以漏導損耗的形式存在,一般較小,在交變電場的作用下,電容的損耗不僅與漏導有關,而且與周期性的極化建立過程有關。
頻率特性
隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現下降的規律。
電容器容量標示
1、直標法
用數字和單位符號直接標出。如01uF表示0.01微法,有些電容用“R”表示小數點,如R56表示0.56微法。
2、文字符號法
用數字和文字符號有規律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.
3、色標法
用色環或色點表示電容器的主要參數。電容器的色標法與電阻相同。
電容器偏差標誌符號:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
- 電容器的分類
- 標稱電容量和允許偏差
- 電容的絕緣電阻
- 電容的頻率特性
電容器是電子設備中常用的電子元件,下麵對幾種常用電容器的結構和特點作以簡要介紹,以供大家參考。
1鋁電解電容器:
它是由鋁圓筒做負極、裏麵裝有液體電解質,插人一片彎曲的鋁帶做正極製成。還需經直流電壓處理,做正極的片上形成一層氧化膜做介質。其特點是容量大、但是漏電大、穩定性差、有正負極性,適於電源濾波或低頻電路中,使用時,正、負極不要接反。
2鉭铌電解電容器:
它用金屬鉭或者铌做正極,用稀硫酸等配液做負極,用鉭或铌表麵生成的氧化膜做介質製成。其特點是:體積孝容量大、性能穩定、壽命長。絕緣電阻大。溫度性能好,用在要求較高的設備中。
3、薄膜電容器
結構與紙質電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路
4、瓷介電容器
穿心式或支柱式結構瓷介電容器,它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用不能做成大的容量,受振動會引起容量變化特別適於高頻旁路
5、獨石電容器
(多層陶瓷電容器)在若幹片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合後一次繞結成一塊不可分割的整體,外麵再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器,高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的性能,體積極小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路
6、紙質電容器
一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。製造工藝簡單,價格便宜,能得到較大的電容量
一般在低頻電路內,通常不能在高於3~4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高,穩定性也好,適用於高壓電路
7、微調電容器
電容量可在某一小範圍內調整,並可在調整後固定於某個電容值。
瓷介微調電容器的Q值高,體積也小,通常可分為圓管式及圓片式兩種。
8、雲母和聚苯乙烯電容
雲母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東,結構簡單,但穩定性較差。
線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的,故容量隻能變小,不適合在需反複調試的場合使用[page]
9、陶瓷電容器
用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,並用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極製成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
具有小的正電容溫度係數的電容器,用於高穩定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限於在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈衝電路中,因為它們易於被脈衝電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用於高頻電路
雲母電容器就結構而言,可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在雲母片上用真空蒸發法或燒滲法鍍上銀層而成,由於消除了空氣間隙,溫度係數大為下降,電容穩定性也比箔片式高。頻率特性好,Q值高,溫度係數小不能做成大的容量廣泛應用在高頻電器中,並可用作標準電容器
10、玻璃釉電容器
它是由一種濃度適於噴塗的特殊混合物噴塗成薄膜而成,介質再以銀層電極經燒結而成獨石結構性能可與雲母電容器媲美,能耐受各種氣候環境,一般可在200℃或更高溫度下工作,額定工作電壓可達500V,損耗tgδ0.0005~0.008
電容器主要特性參數:
標稱電容量和允許偏差
標稱電容量是標誌在電容器上的電容量。
電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差範圍稱精度。
精度等級與允許誤差對應關係:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據用途選齲
額定電壓
在最低環境溫度和額定環境溫度下可連續加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修複的永久損壞。
絕緣電阻
直流電壓加在電容上,並產生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.
當電容較小時,主要取決於電容的表麵狀態,容量〉0.1uf時,主要取決於介質的性能,絕緣電阻越小越好。
電容的時間常數:為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數,他等於電容的絕緣電阻與容量的乘積。
損耗
電容在電場作用下,在單位時間內因發熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規定了其在某頻率範圍內的損耗允許值,電容的損耗主要由介質損耗,電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下,電容器的損耗以漏導損耗的形式存在,一般較小,在交變電場的作用下,電容的損耗不僅與漏導有關,而且與周期性的極化建立過程有關。
頻率特性
隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現下降的規律。
電容器容量標示
1、直標法
用數字和單位符號直接標出。如01uF表示0.01微法,有些電容用“R”表示小數點,如R56表示0.56微法。
2、文字符號法
用數字和文字符號有規律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.
3、色標法
用色環或色點表示電容器的主要參數。電容器的色標法與電阻相同。
電容器偏差標誌符號:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
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