1.隻需幾fF的雜散電容就會導致EMI掃描失敗。從本質上講，開關電源具有提供高 dV/dt 的節點。寄生電容與高 dV/dt 的混合會產生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時
，會有少量電流直接泵送至電源線。

　　

2.查(zha)看(kan)電(dian)源(yuan)中(zhong)的(de)寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)。我(wo)們(men)都(dou)記(ji)得(de)物(wu)理(li)課(ke)上(shang)講(jiang)過(guo)，兩(liang)個(ge)導(dao)體(ti)之(zhi)間(jian)的(de)電(dian)容(rong)與(yu)導(dao)體(ti)表(biao)麵(mian)積(ji)成(cheng)正(zheng)比(bi)
，與(yu)二(er)者(zhe)之(zhi)間(jian)的(de)距(ju)離(li)成(cheng)反(fan)比(bi)。查(zha)看(kan)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)每(mei)個(ge)節(jie)點(dian)，並(bing)特(te)別(bie)注(zhu)意(yi)具(ju)有(you)高(gao) dV/dt 的節點。想想電路布局中該節點的表麵積是多少，節點距離電路板輸入線路有多遠。開關 MOSFET 的漏極和緩衝電路是常見的罪魁禍首。

　　

3.減小表麵麵積有技巧。試著盡量使用表麵貼裝封裝。采用直立式 TO-220 封裝的 FET 具有極大的漏極選項卡 (drain tab) 表麵麵積，可惜的是它通常碰巧是具有最高 dV/dt 的節點。嚐試使用表麵貼裝 DPAK 或 D2PAK FET 取代。在 DPAK 選項卡下麵的低層 PCB 上安放一個初級接地麵板，就可良好遮蔽 FET 的底部
，從而可顯著減少寄生電容。

　　

有時候表麵麵積需要用於散熱。如果您必須使用帶散熱片的 TO-220 類 FET，嚐試將散熱片連接至初級接地(而不是大地接地)。這樣不僅有助於遮蔽 FET
，而且還有助於減少雜散電容。

　　

4.讓開關節點與輸入連接之間拉開距離。見圖 1 中的設計實例，其中我忽視了這個簡單原則。

 

圖1.讓輸入布線與具有高 dV/dt 的節點靠得太近會增加傳導 EMI。

　　

我通過簡單調整電路板(無電路變化)，將噪聲降低了大約 6dB。見圖 2 和圖 3 的測量結果。在有些情況下，接近高 dV/dt 進行輸入線路布線甚至還可擊壞共模線圈 (CMC)。

 

圖2.從電路板布局進行 EMI 掃描，其中 AC 輸入與開關電路距離較近

 

圖3.從電路板布局進行 EMI 掃描，其中 AC 輸入與開關電路之間距離較大

　　

你是否有過在顯著加強輸入濾波器後 EMI 改善效果很小甚至沒有改善的這種遭遇?這很有可能是因為有一些來自某個高 dV/dt 節點的雜散電容直接耦合到輸入線路，有效繞過了你的 CMC。為了檢測這種情況，可臨時短路 PCB 上 CMC 的繞組，並將一個二級 CMC 與電路板的輸入電線串聯。如果有明顯改善，你需要重新布局電路板，並格外注意輸入連接的布局與布線。

　　

現在，我們來看看共模 EMI 問題的最常見來源：電源變壓器。

　　

該問題由一次繞組和二次繞組間的寄生電容以及一次繞組的高 dV/dt 引yin起qi。這zhe個ge繞rao組zu間jian的de電dian容rong可ke起qi到dao充chong電dian泵beng的de作zuo用yong

，導dao致zhi雜za散san電dian流liu流liu到dao通tong常chang連lian接jie至zhi接jie地di的de二er次ci側ce。這zhe裏li有you四si個ge可ke最zui大da限xian度du減jian少shao該gai問wen題ti的de常chang見jian技ji巧qiao。

　　

1.進行一次繞組，使最高dV/dt出現在外層上。電壓電勢會隨每個匝數變化。例如在反激拓撲中，最大的電壓擺幅出現在連接 FET 漏極的一端(見圖 1)。讓“靜音”層臨近最近的二次層，可最大限度地降低在整個繞組間電容上出現的 dV/dt。采(cai)用(yong)這(zhe)種(zhong)技(ji)術(shu)
，應(ying)該(gai)明(ming)確(que)外(wai)部(bu)繞(rao)組(zu)可(ke)能(neng)已(yi)成(cheng)了(le)有(you)問(wen)題(ti)的(de)噪(zao)聲(sheng)源(yuan)
，其(qi)可(ke)能(neng)會(hui)耦(ou)合(he)至(zhi)變(bian)壓(ya)器(qi)附(fu)近(jin)的(de)其(qi)它(ta)目(mu)標(biao)。外(wai)部(bu)繞(rao)組(zu)周(zhou)圍(wei)可(ke)能(neng)需(xu)要(yao)一(yi)個(ge)屏(ping)蔽(bi)繞(rao)組(zu)。

　　

2.zaiyiciraozuheerciraozuzhijianshiyongyigepingbiraozu。charuyigeyiduanlianjiezhishuruhuoshurufanhuiduandedancengraozu，keshizasandianliulikaierciraozubingfanhuizhiyuantou。zhezhongjishudedaijiashilveweizengjialebianyaqideshejifuzaxing
，bingzengjialeloudiangan。

　　

3.在一次接地到二次接地之間使用一個“Y電容器”。gaidianrongqikeweizasandianliutigongyigehuidaoyicijiedidejiaodizukanglujing。dianyuanzhongdezhetiaobendilujingkefangzhizhexiedianliuzhaodaolingwaiyitiaotongguojiedihuidaoyuantoudelujing。danshi，duiyunengshiyongduodadedianrong，zheliyouyidinganquanxianzhi。

　　

4.添加一個共模線圈。有時候所提到的其它技術不足以將 EMI jiangdidaosuoxushuipingzhixia。tianjiayigegongmoxianquan
，bujinkezengjiagongmozukang
，erqiehaiduijiangdichuandaozaoshengfeichangyouxiao。danzheyanghuichanshengfujiazujianchengben。zaixuanzegongmoxianquanshi，yaozhuyijianzhaxiangduiyupinlvdezukangquxian。zaimouzhongqingkuangxia，suoyouxianquandouhuiyinqizishenderaozujiandianrongwentierzhuanbianchengdianrongxing。