實例解析IGBT對EMC影響的兩大技術問題
發布時間:2014-02-12 來源:電子元件技術網論壇 責任編輯:cicy
問題如下:關於IGBT對EMC影響的兩個問題,如圖所示IGBT在關斷的瞬間,Vce電壓上升所形成的du/dt對IGBT與散熱器之間的寄生電容充放電,根據公式I=C*du/dt所形成的共模噪聲電流從散熱器導入地然後回流至電源端LISN上的50Ω電阻,接收機取50歐姆兩端壓降測試傳導騷擾電壓,然後回流至電源線經整流器,然後過母線回流至幹擾源IGBT。


問題一:根據上述變頻器共模噪聲電流回流路徑,如果IGBT在導通瞬間,Vce電壓為下降沿為-du/dt,那麼此時的共模噪聲電流環路方向是否和上述相反,那麼在此瞬間接收機測得的傳導騷擾電壓與正向環流有何不同。
問題二:在IGBT導通瞬間,集電極電流Ic為上升沿,那麼di/dt,如何形成接收機測得的傳導騷擾電壓呢?還想了解一下是不是di/dt直接轉化為以其上升時間決定頻帶寬度的騷擾電流,還有就是這個騷擾電流的幅值大小由什麼決定?
圖示是理論示意圖,針對於逆變器IGBT開通時的集電極電流隻能通過雙脈衝來測,是會存在尖峰之後的震蕩,不確定是電路特性本身造成的震蕩還是電流探頭引起的震蕩。但IGBT關斷時由於外圍電路的分布參數引起Vce電壓上升沿存在尖峰和震蕩是確定的。
以下整理了部分網友的回答內容,給大家做參考,如果您還有其他的答案,可以在本文評論中跟大家探討探討!
[page]
網友一:CE測(ce)試(shi)是(shi)以(yi)頻(pin)率(lv)為(wei)橫(heng)坐(zuo)標(biao),所(suo)以(yi)這(zhe)個(ge)問(wen)題(ti)要(yao)到(dao)頻(pin)域(yu)來(lai)考(kao)慮(lv)。不(bu)管(guan)是(shi)上(shang)升(sheng)沿(yan)還(hai)是(shi)下(xia)降(jiang)沿(yan),如(ru)果(guo)相(xiang)同(tong)斜(xie)率(lv),轉(zhuan)換(huan)到(dao)頻(pin)域(yu)後(hou)相(xiang)同(tong)頻(pin)點(dian)的(de)幅(fu)值(zhi)是(shi)一(yi)樣(yang)的(de)。傳(chuan)導(dao)測(ce)量(liang)讀(du)取(qu)的(de)50ohm上麵的電壓,這由流經50ohm上的電流決定,同樣基於單個頻點分析,集電極i的變化曲線取傅立葉變換到頻域,每個頻點有對應的電流,i變化,頻域電流變化,流經50ohm上的電流變化,讀取的電壓就會變化。
di/dt反應的是電流的變化速率,在時域波形上表現就是斜率,對於時域上i的曲線,如果轉化為頻域,di/dt越大,則在頻域上高頻分量越大。在這裏集電極電流就是騷擾電流,當集電極電流產生變化時,也就會有di/dt, 這時會有高頻分量通過寄生電容到散熱片。騷擾電流的幅值大小與di/dt有關,假設i在頻點f0的分量幅值大小為A0,在頻點f0,騷擾電流流經散熱片路徑的電流與電路中的阻抗和散熱片路徑的阻抗有關,就是電路中的分流,哪個路徑阻抗低,A0就會更多分配到那個路徑。
IGBTwaiweidianlubenshendejishengdianganhedianrongzaochengdezhendangxianxiang,suoyishicededianliuxinhaoweilixiangdianliuxinhaohejianfengzhendangxinhaodediejia,zhegejianfengzhendangxinhaoshizhuyaodesaoraoyuan,congxinhaoxitongjiaodulaikan,zhegexinhaomanzuwendingtiaojian。
網友二:問題一:根據上述變頻器共模噪聲電流回流路徑,如果IGBT在導通瞬間,Vce電壓為下降沿為-du/dt,那麼此時的共模噪聲電流環路方向是否和上述相反,那麼在此瞬間接收機測得的傳導騷擾電壓與正向環流有何不同。----在zai瞬shun態tai時shi應ying該gai是shi反fan向xiang的de,但dan是shi接jie收shou機ji測ce量liang的de是shi絕jue對dui值zhi,所suo以yi無wu所suo謂wei正zheng負fu和he方fang向xiang。一yi般ban騷sao擾rao信xin號hao都dou是shi高gao頻pin信xin號hao,不bu會hui去qu分fen析xi電dian壓ya和he電dian流liu方fang向xiang,隻zhi分fen析xi路lu徑jing。
問題二:在IGBT導通瞬間,集電極電流Ic為上升沿,那麼di/dt,如何形成接收機測得的傳導騷擾電壓呢?-----最簡單的來說是di/dt的諧波分量在BUS上形成高頻紋波,這個紋波就是差模騷擾。這個紋波電壓耦合到LISN,被接收機測量。
【相關閱讀】
半月談:IGBT應用設計全麵剖析
http://www.0-fzl.cn/power-art/80020864
IGBT如何選型?四大步輕鬆搞定!
http://www.0-fzl.cn/gptech-art/80021275
突破傳統的IGBT係統電路保護設計
http://www.0-fzl.cn/cp-art/80020604
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
- 築基AI4S:摩爾線程全功能GPU加速中國生命科學自主生態
- 一秒檢測,成本降至萬分之一,光引科技把幾十萬的台式光譜儀“搬”到了手腕上
- AI服務器電源機櫃Power Rack HVDC MW級測試方案
- 突破工藝邊界,奎芯科技LPDDR5X IP矽驗證通過,速率達9600Mbps
- 通過直接、準確、自動測量超低範圍的氯殘留來推動反滲透膜保護
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall





