當 A≠±1 時，射頻信號中同時包含上下邊帶，定義邊帶抑製比為：20lg│A+1│/│A-1│ (dB).

 

如何改善鏡頻抑製能力呢
？

 

IQ 調製器兩個支路的增益不平衡特性已經無法調整，但是可以在基帶側通過調整 I 和 Q 兩路波形的幅度大小改善鏡頻抑製。矢量信號發生器 VSG 及任意波信號發生器 AWG 均提供了 IQ Gain Imbalance 調整參數

，對其進行微調即可改善鏡頻抑製。

 

2. IQ 正交性對鏡頻抑製的影響

正交性包括兩個方麵：(1) 基帶信號 I 和 Q 之間的正交性
；(2) IQ 調製器兩個 Mixer 的 LO 信號之間的正交性。如果正交性不好，當產生無頻偏的數字調製信號時會帶來調製和解調的誤差(EVM
、BER 惡化)，另一方麵在產生單邊帶信號時
，會惡化鏡頻抑製特性。

 

令 i(t)=cos(wbt+ϕ)
，q(t)=sinwbt，則 IQ 調製器輸出的射頻信號為

 

s(t)=cos(wbt+ϕ)· coswct - sinwbt · sinwct

 

積化和差得

 

s(t)=0.5(1+cosϕ)·cos(wc+wb)t-0.5sinϕ·sin(wc+wb)t-0.5(1-cosϕ)·cos(wc-wb)t+0.5sinϕ·sin(wc-wb)t

 

對於(wc+wb)分量
，令 a=0.5(1+cosϕ)
，b=0.5sinϕ，則取θ滿足如下關係：

 

cosθ=a/√( a2+b2)，sinθ=b/√( a2+b2)

 

類似地，對於(wc-wb)分量，令 c=0.5(1-cosϕ)，b=0.5sinϕ，則取θ1 滿足如下關係：

 

cosθ1=c/√(c2+b2)，sinθ1=b/√(c2+b2)

 

以上公式代入 s(t)

，最終可得

 

s(t)=0.707√(1+cosϕ)·cos[(wc+wb)t+θ]+0.707√(1-cosϕ)·cos[(wc-wb)t-θ1]

 

由正交誤差ϕ造成的鏡頻抑製度為：10lg(1+cosϕ)/(1-cosϕ) (dB).

 

以上是從基帶 I 和 Q 信號的正交性著手分析對鏡頻抑製特性的影響
，如果基帶信號理想正交，而 IQ 調製器兩個 Mixer 的 LO 正交性不好，整個推導過程是類似的

，此處不再贅述。當然
，IQ 調製器的特性已經固定，隻能通過調整基帶信號的正交性改善鏡頻抑製能力。

 

3. IQ 調製器的載波抑製特性

IQ 調製器除了可以抑製鏡頻外，在數字調製過程中還可以抑製載波。理論上，隻要模擬 I 和 Q 信號中沒有 DC 分量，而且 IQ 調製器是理想的
，那麼輸出的射頻寬帶信號中將沒有載波。但是實際產生的寬帶信號總是具有一定的載波泄露，來源於兩部分：(1) IQ 信號中包含一定的 DC 分量；(2) IQ 調製器中 Mixer 的 LO 泄露。

 

對(dui)於(yu)數(shu)字(zi)調(tiao)製(zhi)信(xin)號(hao)而(er)言(yan)
，載(zai)波(bo)泄(xie)露(lu)是(shi)一(yi)種(zhong)帶(dai)內(nei)幹(gan)擾(rao)，如(ru)果(guo)載(zai)波(bo)分(fen)量(liang)較(jiao)強(qiang)
，將(jiang)直(zhi)接(jie)影(ying)響(xiang)整(zheng)個(ge)係(xi)統(tong)的(de)通(tong)信(xin)質(zhi)量(liang)。因(yin)此(ci)，要(yao)盡(jin)量(liang)降(jiang)低(di)載(zai)波(bo)泄(xie)露(lu)。通(tong)常(chang)在(zai)基(ji)帶(dai)側(ce)微(wei)調(tiao) I Offset 或者 Q Offset 來改善載波抑製特性
，這相當於引入 DC 分量，如果設置的 DC 的量和極性合適，I 和 Q 兩路引起的載波泄露將相互抵消，甚至可以抵消 Mixer 的 LO 泄露帶來的影響。

 

以上介紹了 IQ 調製器的鏡頻抑製及載波抑製特性，這些都是 IQ 調製器固有的特性

，也是性能驗證測試中必測的項目。此外，IQ 調製器還有幅頻響應、三階交調等參數

，這些也都是需要測試的。不同的測試項目需要不同的測試設備和測試方法，這將是後麵要介紹的內容……