碳化矽MOS管圖文詳解
發布時間:2020-02-20 責任編輯:xueqi
【導讀】由SiC製作的MOSFET耐壓高,或者在同樣的耐壓要求下,MOSFET的尺寸就小,從而大大降低了MOS管的導通電阻和傳熱熱阻。使用SiC製作的MOSFET在近期在大功率、高電壓、高頻率應用越來越廣泛。以下給大家以圖文的形式講解碳化矽MOS管長啥樣的?
同樣位於元素周期表第四欄的元素,矽(Si),鍺(Ge)都是被最早用於半導體材料的元素,而碳元素(C)卻不是。
碳(tan)元(yuan)素(su)在(zai)石(shi)墨(mo)結(jie)構(gou)下(xia)是(shi)導(dao)體(ti),而(er)在(zai)金(jin)剛(gang)石(shi)結(jie)構(gou)下(xia),由(you)於(yu)共(gong)價(jia)鍵(jian)躍(yue)遷(qian)能(neng)帶(dai)比(bi)較(jiao)大(da),是(shi)絕(jue)緣(yuan)體(ti)。同(tong)樣(yang)是(shi)金(jin)剛(gang)石(shi)結(jie)構(gou)的(de)矽(gui)元(yuan)素(su)由(you)於(yu)共(gong)價(jia)鍵(jian)比(bi)較(jiao)弱(ruo),共(gong)用(yong)電(dian)子(zi)對(dui)定(ding)域(yu)性(xing)較(jiao)差(cha),在(zai)一(yi)定(ding)電(dian)壓(ya)下(xia)電(dian)子(zi)就(jiu)會(hui)解(jie)離(li),體(ti)現(xian)半(ban)導(dao)體(ti)性(xing)質(zhi)。
如果將矽(Si碳(C)組成碳化矽(SiC)化合物,則形成寬禁帶半導體(3V)。普通的矽(Si)半導體的禁帶隻有1.1V。

左邊:碳化矽(SiC)晶體;右邊:SiC晶體結構
由SiC製作的MOSFET耐壓高,或者在同樣的耐壓要求下,MOSFET的尺寸就小,從而大大降低了MOS管的導通電阻和傳熱熱阻。
使用SiC製作的MOSFET在近期在大功率、高電壓、高頻率應用越來越廣泛。

恰好手邊有如下功率MOS管,左邊為碳化矽MOS管,型號為C2M0080120,它的耐壓為1200V,導通電阻80m歐姆。
中間的是普通的N溝道MOS管,形式是IRF450。它的耐壓為500V,額定工作電流為13A。
右邊是IGBT,型號為50N6S2。耐壓為600V,額定工作電流為75A。

左:SiC:C2M0080120;1200V,31.6A, 80mΩ
中:MOSFET:IRF450:500V,13A:
右:IGBT:50N6S2, 600V,75A
下麵是對這三種MOS測量它們的漏極-源極之間的擊穿電壓。將控製柵極與源極之間短路。
下圖為IGBT 50N6S2測試結果。當電壓超過150V的時候,漏極電流就開始激增。這個數值遠比其數據手冊標稱的600V小得多。

對於IRF450的擊穿電壓測試曲線,當電壓超過600V的時候,漏極電流激增。這與該期間的數據手冊上標稱的耐壓基本相當。

碳化矽MOS管C2M0080的漏極擊穿電壓曲線如下,當電壓超過1000V之後,電流呈現激增。的確SiC管子的耐壓不俗。

下麵對照一下C2M0080與IRFP460導通電阻之間的差異。在柵極控製電壓為24V時,通過3A左右的電流,通過測量漏極-源極之間的電壓來計算導通電阻。
C2M00801021的導通電阻大約為70毫歐姆(0.07Ω)。

IRFP460的導通電阻大約為225毫歐姆(0.225Ω)。它比C2M0080導通電阻大了3倍左右。

出色的高耐壓和低導通電阻使得碳化矽MOS管在大功率半導體電路中表現出色。特別對於高電壓電路,在同樣的功率密度下,碳化矽MOS自身損耗很小,有的場合甚至可以不使用散熱片便可以獲得同樣功率輸出。
雖然SiC功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)有(you)著(zhe)很(hen)多(duo)優(you)點(dian),但(dan)它(ta)也(ye)有(you)自(zi)身(shen)的(de)一(yi)些(xie)缺(que)點(dian)。比(bi)如(ru)它(ta)的(de)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)壓(ya)要(yao)求(qiu)高(gao),自(zi)身(shen)寄(ji)生(sheng)反(fan)向(xiang)導(dao)通(tong)二(er)極(ji)管(guan)的(de)電(dian)壓(ya)高(gao),這(zhe)對(dui)於(yu)一(yi)些(xie)需(xu)要(yao)依(yi)賴(lai)於(yu)MOS管自身反向導通二極管的電路來說,反向導通二極管導通電壓會影響電路性能。

對比SiC和Si功率MOS管寄生反向二極管的導通電壓
SiC管價格高到也影響到它的應用普及。
作者:卓晴
來源:TsinghuaJoking
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