最大額定參數，所有數值取得條件(Ta=25℃)

 

 

VDSS 最大漏-源電壓

 

在柵源短接
，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低於額定VDSS。關於V(BR)DSS的詳細描述請參見靜電學特性。

 

VGS 最大柵源電壓

 

VGS額(e)定(ding)電(dian)壓(ya)是(shi)柵(zha)源(yuan)兩(liang)極(ji)間(jian)可(ke)以(yi)施(shi)加(jia)的(de)最(zui)大(da)電(dian)壓(ya)。設(she)定(ding)該(gai)額(e)定(ding)電(dian)壓(ya)的(de)主(zhu)要(yao)目(mu)的(de)是(shi)防(fang)止(zhi)電(dian)壓(ya)過(guo)高(gao)導(dao)致(zhi)的(de)柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)損(sun)傷(shang)。實(shi)際(ji)柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)可(ke)承(cheng)受(shou)的(de)電(dian)壓(ya)遠(yuan)高(gao)於(yu)額(e)定(ding)電(dian)壓(ya)，但(dan)是(shi)會(hui)隨(sui)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)的(de)不(bu)同(tong)而(er)改(gai)變(bian)

，因(yin)此(ci)保(bao)持(chi)VGS在額定電壓以內可以保證應用的可靠性。

 

ID - 連續漏電流

 

ID定義為芯片在最大額定結溫TJ(max)下，管表麵溫度在25℃或者更高溫度下，可允許的最大連續直流電流。該參數為結與管殼之間額定熱阻RθJC和管殼溫度的函數：

 

 

ID中並不包含開關損耗
，並且實際使用時保持管表麵溫度在25℃（Tcase）也很難。因此，硬開關應用中實際開關電流通常小於ID 額定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。補充
，如果采用熱阻JA的話可以估算出特定溫度下的ID，這個值更有現實意義。

 

IDM - 脈衝漏極電流

 

該參數反映了器件可以處理的脈衝電流的高低

，脈衝電流要遠高於連續的直流電流。定義IDM的目的在於：線的歐姆區。對於一定的柵-源電壓，MOSFET導通後

，存在最大的漏極電流。如圖所示，對於給定的一個柵-源電壓



，如果工作點位於線性區域內
，漏極電流的增大會提高漏-源電壓，由此增大導通損耗。長時間工作在大功率之下
，將導致器件失效。因此

，在典型柵極驅動電壓下
，需要將額定IDM設定在區域之下。區域的分界點在Vgs和曲線相交點。

 

 

yincixuyaoshedingdianliumidushangxian，fangzhixinpianwenduguogaoershaohui。zhebenzhishangshiweilefangzhiguogaodianliuliujingfengzhuangyinxian，yinweizaimouxieqingkuangxia，zhenggexinpianshangzui“薄弱的連接”不是芯片，而是封裝引線。

 

考慮到熱效應對於IDM的限製，溫度的升高依賴於脈衝寬度，脈衝間的時間間隔
，散熱狀況，RDS(on)以及脈衝電流的波形和幅度。單純滿足脈衝電流不超出IDM上限並不能保證結溫不超過最大允許值。可以參考熱性能與機械性能中關於瞬時熱阻的討論
，來估計脈衝電流下結溫的情況。

 

PD - 容許溝道總功耗

 

容許溝道總功耗標定了器件可以消散的最大功耗，可以表示為最大結溫和管殼溫度為25℃時熱阻的函數。

 

TJ, TSTG - 工作溫度和存儲環境溫度的範圍

 

zhelianggecanshubiaodingleqijiangongzuohecunchuhuanjingsuoyunxudejiewenqujian。shedingzheyangdewendufanweishiweilemanzuqijianzuiduangongzuoshoumingdeyaoqiu。ruguoquebaoqijiangongzuozaizhegewenduqujiannei，jiangjidadiyanchangqigongzuoshouming。

 

EAS - 單脈衝雪崩擊穿能量

 

如果電壓過衝值(通常由於漏電流和雜散電感造成)未(wei)超(chao)過(guo)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya)，則(ze)器(qi)件(jian)不(bu)會(hui)發(fa)生(sheng)雪(xue)崩(beng)擊(ji)穿(chuan)，因(yin)此(ci)也(ye)就(jiu)不(bu)需(xu)要(yao)消(xiao)散(san)雪(xue)崩(beng)擊(ji)穿(chuan)的(de)能(neng)力(li)。雪(xue)崩(beng)擊(ji)穿(chuan)能(neng)量(liang)標(biao)定(ding)了(le)器(qi)件(jian)可(ke)以(yi)容(rong)忍(ren)的(de)瞬(shun)時(shi)過(guo)衝(chong)電(dian)壓(ya)的(de)安(an)全(quan)值(zhi)
，其(qi)依(yi)賴(lai)於(yu)雪(xue)崩(beng)擊(ji)穿(chuan)需(xu)要(yao)消(xiao)散(san)的(de)能(neng)量(liang)。

 

定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。

 

EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。

 

L是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會突然轉換為測量器件的漏極電流。電感上產生的電壓超過MOSFET擊穿電壓後，將導致雪崩擊穿。雪崩擊穿發生時，即使 MOSFET處於關斷狀態，電感上的電流同樣會流過MOSFET器件。電感上所儲存的能量與雜散電感上存儲，由MOSFET消散的能量類似。

 

MOSFET並聯後
，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個器件率先發生雪崩擊穿，隨後所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。

 

EAR - 重複雪崩能量

 

重複雪崩能量已經成為“工業標準”
，但是在沒有設定頻率
，其它損耗以及冷卻量的情況下，該參數沒有任何意義。散熱(冷卻)狀況經常製約著重複雪崩能量。對於雪崩擊穿所產生的能量高低也很難預測。

額定EAR的真實意義在於標定了器件所能承受的反複雪崩擊穿能量。該定義的前提條件是：不(bu)對(dui)頻(pin)率(lv)做(zuo)任(ren)何(he)限(xian)製(zhi)
，從(cong)而(er)器(qi)件(jian)不(bu)會(hui)過(guo)熱(re)
，這(zhe)對(dui)於(yu)任(ren)何(he)可(ke)能(neng)發(fa)生(sheng)雪(xue)崩(beng)擊(ji)穿(chuan)的(de)器(qi)件(jian)都(dou)是(shi)現(xian)實(shi)的(de)。在(zai)驗(yan)證(zheng)器(qi)件(jian)設(she)計(ji)的(de)過(guo)程(cheng)中(zhong)
，最(zui)好(hao)可(ke)以(yi)測(ce)量(liang)處(chu)於(yu)工(gong)作(zuo)狀(zhuang)態(tai)的(de)器(qi)件(jian)或(huo)者(zhe)熱(re)沉(chen)的(de)溫(wen)度(du)，來(lai)觀(guan)察(cha)MOSFET器件是否存在過熱情況
，特別是對於可能發生雪崩擊穿的器件。

 

IAR - 雪崩擊穿電流

 

對於某些器件，雪崩擊穿過程中芯片上電流集邊的傾向要求對雪崩電流IAR進行限製。這樣，雪崩電流變成雪崩擊穿能量規格的“精細闡述”；其揭示了器件真正的能力。

 

 

 

 

V(BR)DSS：漏-源擊穿電壓(破壞電壓)

 

V(BR)DSS（有時候叫做VBDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。

 

V(BR)DSS是正溫度係數，溫度低時V(BR)DSS小於25℃時的漏源電壓的最大額定值。在-50℃, V(BR)DSS大約是25℃時最大漏源額定電壓的90%。

 

VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓

 

VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓
，結溫）也是有規格的。正常情況下
，所有的MOS柵極器件的閾值電壓都會有所不同。因此，VGS(th)的變化範圍是規定好的。VGS(th)是負溫度係數，當溫度上升時，MOSFET將會在比較低的柵源電壓下開啟。

 

RDS(on)：導通電阻

 

RDS(on)是指在特定的漏電流（通常為ID電流的一半）
、柵源電壓和25℃的情況下測得的漏-源電阻。

 

IDSS：零柵壓漏極電流

 

IDSS是指在當柵源電壓為零時，在特定的漏源電壓下的漏源之間泄漏電流。既然泄漏電流隨著溫度的增加而增大
，IDSS在室溫和高溫下都有規定。漏電流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之間的電壓計算，通常這部分功耗可以忽略不計。

 

IGSS - 柵源漏電流

 

IGSS是指在特定的柵源電壓情況下流過柵極的漏電流。

 

 

 

Ciss：輸入電容

 

將漏源短接，用交流信號測得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs並聯而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。當輸入電容充電致閾值電壓時器件才能開啟，放電致一定值時器件才可以關斷。因此驅動電路和Ciss對器件的開啟和關斷延時有著直接的影響。

 

Coss：輸出電容

 

將柵源短接，用交流信號測得的漏極和源極之間的電容就是輸出電容。Coss是由漏源電容Cds和柵漏電容Cgd並聯而成
，或者Coss = Cds +Cgd對於軟開關的應用，Coss非常重要，因為它可能引起電路的諧振。

 

Crss：反向傳輸電容

 

在源極接地的情況下
，測得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容。反向傳輸電容等同於柵漏電容。Cres =Cgd，fanxiangchuanshudianrongyechangjiaozuomiledianrong，duiyukaiguandeshangshenghexiajiangshijianlaishuoshiqizhongyigezhongyaodecanshu，tahaiyingxiangzheguanduanyanshishijian。dianrongsuizhelouyuandianyadezengjiaerjianxiao，youqishishuchudianronghefanxiangchuanshudianrong。

 

 

Qgs,Qgd,和Qg：柵電荷

 

柵(zha)電(dian)荷(he)值(zhi)反(fan)應(ying)存(cun)儲(chu)在(zai)端(duan)子(zi)間(jian)電(dian)容(rong)上(shang)的(de)電(dian)荷(he)
，既(ji)然(ran)開(kai)關(guan)的(de)瞬(shun)間(jian)，電(dian)容(rong)上(shang)的(de)電(dian)荷(he)隨(sui)電(dian)壓(ya)的(de)變(bian)化(hua)而(er)變(bian)化(hua)，所(suo)以(yi)設(she)計(ji)柵(zha)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)時(shi)經(jing)常(chang)要(yao)考(kao)慮(lv)柵(zha)電(dian)荷(he)的(de)影(ying)響(xiang)。

 

Qgs從0電荷開始到第一個拐點處
，Qgd是從第一個拐點到第二個拐點之間部分（也叫做“米勒”電荷），Qg是從0點到VGS等於一個特定的驅動電壓的部分。

 

 

漏lou電dian流liu和he漏lou源yuan電dian壓ya的de變bian化hua對dui柵zha電dian荷he值zhi影ying響xiang比bi較jiao小xiao，而er且qie柵zha電dian荷he不bu隨sui溫wen度du的de變bian化hua。測ce試shi條tiao件jian是shi規gui定ding好hao的de。柵zha電dian荷he的de曲qu線xian圖tu體ti現xian在zai數shu據ju表biao中zhong，包bao括kuo固gu定ding漏lou電dian流liu和he變bian化hua漏lou源yuan電dian壓ya情qing況kuang下xia所suo對dui應ying的de柵zha電dian荷he變bian化hua曲qu線xian。在zai圖tu中zhong平ping台tai電dian壓yaVGS(pl)隨著電流的增大增加的比較小（隨著電流的降低也會降低）。平台電壓也正比於閾值電壓，所以不同的閾值電壓將會產生不同的平台電壓。

 

下麵這個圖更加詳細，應用一下：

 

 

td(on)：導通延時時間

 

導通延時時間是從當柵源電壓上升到10%柵驅動電壓時到漏電流升到規定電流的10%時所經曆的時間。

 

td(off)：關斷延時時間

 

關斷延時時間是從當柵源電壓下降到90%柵驅動電壓時到漏電流降至規定電流的90%時所經曆的時間。這顯示電流傳輸到負載之前所經曆的延遲。

 

tr：上升時間

 

上升時間是漏極電流從10%上升到90%所經曆的時間。

 

tf：下降時間

 

下降時間是漏極電流從90%下降到10%所經曆的時間。