一是電壓型
，即柵極的薄氧化層發生擊穿
，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;

 

二是功率型

，即金屬化薄膜鋁條被熔斷
，造成柵極開路或者是源極開路。

 

現在的mos管沒有那麼容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos
，主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。若是碰上3DO型的mos管冬天不帶防靜電環試試，基本上摸一個掛一個。

 

與幹燥的北方不同，南方潮濕不易產生靜電。還有就是現在大多數CMOS器件內部已經增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。

 

靜電放電形成的是短時大電流，放電脈衝的時間常數遠小於器件散熱的時間常數。因此
，當靜電放電電流通過麵積很小的pn結或肖特基結時，將產生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有可能使局部結溫達到甚至超過材料的本征溫度（如矽的熔點1415℃）

，使結區局部或多處熔化導致pn結短路
，器件徹底失效。這種失效的發生與否，主要取決於器件內部區域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。

 

反偏pn結比正偏pn結(jie)更(geng)容(rong)易(yi)發(fa)生(sheng)熱(re)致(zhi)失(shi)效(xiao)
，在(zai)反(fan)偏(pian)條(tiao)件(jian)下(xia)使(shi)結(jie)損(sun)壞(huai)所(suo)需(xu)要(yao)的(de)能(neng)量(liang)隻(zhi)有(you)正(zheng)偏(pian)條(tiao)件(jian)下(xia)的(de)十(shi)分(fen)之(zhi)一(yi)左(zuo)右(you)。這(zhe)是(shi)因(yin)為(wei)反(fan)偏(pian)時(shi)，大(da)部(bu)分(fen)功(gong)率(lv)消(xiao)耗(hao)在(zai)結(jie)區(qu)中(zhong)心(xin)，而(er)正(zheng)偏(pian)時(shi)
，則(ze)多(duo)消(xiao)耗(hao)在(zai)結(jie)區(qu)外(wai)的(de)體(ti)電(dian)阻(zu)上(shang)。對(dui)於(yu)雙(shuang)極(ji)器(qi)件(jian)
，通(tong)常(chang)發(fa)射(she)結(jie)的(de)麵(mian)積(ji)比(bi)其(qi)它(ta)結(jie)的(de)麵(mian)積(ji)都(dou)小(xiao)

，而(er)且(qie)結(jie)麵(mian)也(ye)比(bi)其(qi)它(ta)結(jie)更(geng)靠(kao)近(jin)表(biao)麵(mian)，所(suo)以(yi)常(chang)常(chang)觀(guan)察(cha)到(dao)的(de)是(shi)發(fa)射(she)結(jie)的(de)退(tui)化(hua)。此(ci)外(wai)，擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya)高(gao)於(yu)100V或漏電流小於1nA的pn結（如JFET的柵結），比類似尺寸的常規pn結對靜電放電更加敏感。

 

所有的東西是相對的
，不是絕對的，MOS管隻是相對其它的器件要敏感些
，ESD有一個很大的特點就是隨機性，並不是沒有碰到MOS管都能夠把它擊穿。另外
，就算是產生ESD，也不一定會把管子擊穿。靜電的基本物理特征為：（1）有吸引或排斥的力量；（2）有電場存在，與大地有電位差；（3）會產生放電電流。這三種情形即ESD一般會對電子元件造成以下三種情形的影響：（1）元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命；（2）因電場或電流破壞元件絕緣層和導體
，使元件不能工作（完全破壞）
；（3）因瞬間的電場軟擊穿或電流產生過熱
，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對MOS管(guan)的(de)損(sun)壞(huai)可(ke)能(neng)是(shi)一(yi)
，三(san)兩(liang)種(zhong)情(qing)況(kuang)，並(bing)不(bu)一(yi)定(ding)每(mei)次(ci)都(dou)是(shi)第(di)二(er)種(zhong)情(qing)況(kuang)。上(shang)述(shu)這(zhe)三(san)種(zhong)情(qing)況(kuang)中(zhong)

，如(ru)果(guo)元(yuan)件(jian)完(wan)全(quan)破(po)壞(huai)，必(bi)能(neng)在(zai)生(sheng)產(chan)及(ji)品(pin)質(zhi)測(ce)試(shi)中(zhong)被(bei)察(cha)覺(jiao)而(er)排(pai)除(chu)，影(ying)響(xiang)較(jiao)少(shao)。如(ru)果(guo)元(yuan)件(jian)輕(qing)微(wei)受(shou)損(sun)
，在(zai)正(zheng)常(chang)測(ce)試(shi)中(zhong)不(bu)易(yi)被(bei)發(fa)現(xian)
，在(zai)這(zhe)種(zhong)情(qing)形(xing)下(xia)，常(chang)會(hui)因(yin)經(jing)過(guo)多(duo)次(ci)加(jia)工(gong)
，甚(shen)至(zhi)已(yi)在(zai)使(shi)用(yong)時(shi)
，才(cai)被(bei)發(fa)現(xian)破(po)壞(huai)，不(bu)但(dan)檢(jian)查(zha)不(bu)易(yi)，而(er)且(qie)損(sun)失(shi)亦(yi)難(nan)以(yi)預(yu)測(ce)。靜(jing)電(dian)對(dui)電(dian)子(zi)元(yuan)件(jian)產(chan)生(sheng)的(de)危(wei)害(hai)不(bu)亞(ya)於(yu)嚴(yan)重(zhong)火(huo)災(zai)和(he)爆(bao)炸(zha)事(shi)故(gu)的(de)損(sun)失(shi)。

　　

遭受靜電破壞的威脅。從器件製造到插件裝焊
、整機裝聯
、baozhuangyunshuzhizhichanpinyingyong，douzaijingdiandeweixiezhixia。zaizhenggedianzichanpinshengchanguochengzhong，meiyigejieduanzhongdemeiyigexiaobuzhou，jingdianminganyuanjiandoukenengzaoshoujingdiandeyingxianghuoshoudaopohuai，ershijishangzuizhuyaoeryourongyishuhudeyidianqueshizaiyuanjiandechuansongyuyunshudeguocheng。zaizhegeguochengzhong，yunshuyinyidongrongyibaoluzaiwaijiedianchang（如經過高壓設備附近、工人移動頻繁、車輛迅速移動等）產生靜電而受到破壞
，所以傳送與運輸過程需要特別注意，以減少損失，避免無所謂的糾紛。防護的話加齊納穩壓管保護。

 

現在的mos管沒有那麼容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos
，主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。與幹燥的北方不同，南方潮濕不易產生靜電。還有就是現在大多數CMOS器件內部已經增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。

 

 

第一、MOSguanbenshendeshurudianzuhengao，erzhayuanjijiandianrongyoufeichangxiao，suoyijiyishouwaijiediancichanghuojingdiandeganyingerdaidian
，ershaoliangdianhejiukezaijijiandianrongshangxingchengxiangdanggaodedianya （U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸(shu)入(ru)端(duan)有(you)抗(kang)靜(jing)電(dian)的(de)保(bao)護(hu)措(cuo)施(shi)，但(dan)仍(reng)需(xu)小(xiao)心(xin)對(dui)待(dai)，在(zai)存(cun)儲(chu)和(he)運(yun)輸(shu)中(zhong)最(zui)好(hao)用(yong)金(jin)屬(shu)容(rong)器(qi)或(huo)者(zhe)導(dao)電(dian)材(cai)料(liao)包(bao)裝(zhuang)，不(bu)要(yao)放(fang)在(zai)易(yi)產(chan)生(sheng)靜(jing)電(dian)高(gao)壓(ya)的(de)化(hua)工(gong)材(cai)料(liao)或(huo)化(hua)纖(xian)織(zhi)物(wu)中(zhong)。組(zu)裝(zhuang)、調試時

，工具、儀表、工作台等均應良好接地。要防止操作人員的靜電幹擾造成的損壞

，如不宜穿尼龍、化纖衣服
，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時

，使用的設備必須良好接地。

 

第二、MOS電路輸入端的保護二極管，其通時電流容限一般為1mA，在可能出現過大瞬態輸入電流（超過10mA）時，應串接輸入保護電阻。因此應用時可選擇一個內部有保護電阻的MOS管應。還有 youyubaohudianluxishoudeshunjiannengliangyouxian，taidadeshunjianxinhaoheguogaodejingdiandianyajiangshibaohudianlushiquzuoyong。suoyihanjieshidianlaotiebixukekaojiedi，yifangloudianjichuanqijianshuruduan
，yibanshiyongshi
，keduandianhouliyongdianlaotiedeyurejinxinghanjie，bingxianhanqijiediguanjiao。

 

MOS是電壓驅動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部幹擾使MOS導通，外部幹擾信號對G-S結電容充電，這個微小的電荷可以儲存很長時間。在試驗中G懸空很危險，很多就因為這樣爆管，G接個下拉電阻對地，旁路幹擾信號就不會直通了，一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻
，作用1：為場效應管提供偏置電壓;作用2：起到瀉放電阻的作用（保護柵極G~源極S）。第一個作用好理解，這裏解釋一下第二個作用的原理：保護柵極G~源極S：場效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣隻要有少量的靜電就能使他的G-S極ji間jian的de等deng效xiao電dian容rong兩liang端duan產chan生sheng很hen高gao的de電dian壓ya
，如ru果guo不bu及ji時shi把ba這zhe些xie少shao量liang的de靜jing電dian瀉xie放fang掉diao，他ta兩liang端duan的de高gao壓ya就jiu有you可ke能neng使shi場chang效xiao應ying管guan產chan生sheng誤wu動dong作zuo
，甚shen至zhi有you可ke能neng擊ji穿chuan其qiG-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉
，從而起到了保護場效應管的作用。