現(xian)實(shi)生(sheng)活(huo)中(zhong)的(de)負(fu)載(zai)大(da)多(duo)數(shu)是(shi)衝(chong)擊(ji)性(xing)負(fu)載(zai)
，例(li)如(ru)熾(chi)燈(deng)泡(pao)，在(zai)冷(leng)態(tai)時(shi)的(de)電(dian)阻(zu)要(yao)比(bi)點(dian)亮(liang)時(shi)低(di)很(hen)多(duo)，像(xiang)電(dian)腦(nao)，電(dian)視(shi)機(ji)等(deng)整(zheng)流(liu)性(xing)負(fu)載(zai)
，由(you)於(yu)輸(shu)入(ru)的(de)交(jiao)流(liu)電(dian)經(jing)過(guo)整(zheng)流(liu)後(hou)要(yao)用(yong)一(yi)個(ge)比(bi)較(jiao)大(da)的(de)電(dian)容(rong)濾(lv)波(bo)，因(yin)而(er)衝(chong)擊(ji)電(dian)流(liu)比(bi)較(jiao)大(da)。還(hai)有(you)冰(bing)箱(xiang)等(deng)電(dian)機(ji)感(gan)性(xing)負(fu)載(zai)，電(dian)機(ji)從(cong)靜(jing)止(zhi)到(dao)正(zheng)常(chang)轉(zhuan)動(dong)也(ye)需(xu)要(yao)用(yong)電(dian)力(li)產(chan)生(sheng)比(bi)較(jiao)大(da)的(de)轉(zhuan)矩(ju)因(yin)而(er)起(qi)動(dong)電(dian)流(liu)也(ye)比(bi)較(jiao)大(da)。

 

如(ru)果(guo)我(wo)們(men)的(de)逆(ni)變(bian)器(qi)隻(zhi)能(neng)設(she)定(ding)一(yi)個(ge)能(neng)長(chang)期(qi)工(gong)作(zuo)的(de)額(e)定(ding)輸(shu)出(chu)功(gong)率(lv)的(de)話(hua)，在(zai)起(qi)動(dong)功(gong)率(lv)大(da)於(yu)這(zhe)個(ge)額(e)定(ding)輸(shu)出(chu)功(gong)率(lv)的(de)負(fu)載(zai)就(jiu)不(bu)能(neng)起(qi)動(dong)了(le)

，這(zhe)就(jiu)需(xu)要(yao)按(an)照(zhao)起(qi)動(dong)功(gong)率(lv)來(lai)配(pei)備(bei)逆(ni)變(bian)器(qi)了(le)，這(zhe)顯(xian)然(ran)是(shi)一(yi)種(zhong)浪(lang)費(fei)。實(shi)際(ji)中(zhong)，我(wo)們(men)在(zai)設(she)計(ji)過(guo)流(liu)短(duan)路(lu)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)時(shi)我(wo)們(men)會(hui)設(she)計(ji)兩(liang)個(ge)保(bao)護(hu)點(dian)，額(e)定(ding)功(gong)率(lv)和(he)峰(feng)值(zhi)功(gong)率(lv)。一(yi)般(ban)峰(feng)值(zhi)功(gong)率(lv)設(she)定(ding)為(wei)額(e)定(ding)功(gong)率(lv)2-3倍。時間上額定功率是長時間工作不會保護的
，峰值功率一般隻維持到幾秒就保護了。下麵進行舉例說明：

 

圖1

 

如圖1所示
，R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻
，可以這麼理解，高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以用R5檢測高壓電流的大小。圖1中LM339的兩個比較器單元我們分別用來做過流和短路檢測。

 

先看由IC3D及其外圍元件組成的過流保護電路，IC3D的8腳設定一個基準電壓，由R33、VR4、R56、R54分壓決定其值U8=5*（R33+VR4）/（ R33+VR4 +R56+R54）。當R5上的電壓經過R24
，C17延時後超過8腳電壓14腳輸出高電平通過D7隔離到IC3B的5腳。4腳兼做電池欠壓保護，正常時5腳電壓低於4腳，過流後5腳電壓高於4腳
，2腳輸出高電平控製後級的高壓MOS關斷，當然也可以控製前級的MOS一起關斷。D8的作用是過流短路或電池欠壓後正反饋鎖定2腳為高電平。

 

再看IC3C組成的短路保護電路，原理和過流保護差不多，隻是延時的時間比較短，C19的容量很小
，加上LM339的速度很快
，可以實現短路保護在幾個微秒內關斷
，有效地保護了高壓MOS管的安全。順便說的一點是短路保護點要根據MOS管的ID，安全區域和回路雜散電阻等參數設計。一般來說電流在ID以內，動作時間在30微秒以內是比較安全的。

 

 

IGBT作為一種新型的功率器件，具有電壓和電流容量高等優點，開關速度遠高於雙極型晶體管而略低於MOS管
，因而廣泛地應用在各種電源領域裏，在中大功率逆變器中也得到廣泛應用。

 

IGBT缺點，一是集電極電流有一個較長時間的拖尾——關斷時間比較長，所以關斷時一般需要加入負的電壓加速關斷；二是抗DI/DT的能力比較差，如果像保護MOS管一樣在很大的短路電流的時候快速關斷MOS管極可能在集電極引起很高的DI/DT，使UCE由於引腳和回路雜散電感的影響感應出很高的電壓而損壞。

 

IGBT的短路保護一般是檢測CE極的飽和壓降實現，當集電極電流很大或短路時，IGBT退出飽和區，進入放大區。上麵說過這時我們不能直接快速關斷IGBT
，我們可以降低柵極電壓來減小集電極的電流以延長保護時間的耐量和減小集電極的DI/DT.如果不采取降低柵極電壓來減小集電極的電流這個措施的話一般2V以下飽和壓降的IGBT的短路耐量隻有5μS；3V飽和壓降的IGBT的短路耐量大約10-15μS，4-5 V飽和壓降的IGBT的短路耐量大約是30μS.

 

還有一點
，降柵壓的時間不能過快，一般要控製在2μS左右，也就是說為了使集電極電流從很大的短路電流降到過載保護的1.2-1.5倍一般要控製在2μS左zuo右you
，不bu能neng過guo快kuai，在zai過guo載zai保bao護hu的de延yan時shi之zhi內nei如ru果guo短duan路lu消xiao失shi的de話hua是shi可ke以yi自zi動dong恢hui複fu的de，如ru果guo依yi然ran維wei持chi在zai超chao過guo過guo載zai保bao護hu電dian流liu的de話hua由you過guo載zai保bao護hu電dian路lu關guan斷duanIGBT.

 

所以IGBT的短路保護一般是配合過載保護的
，下麵是一個TLP250增加慢降柵壓的驅動和短路保護的應用電路圖：

 

圖2

 

圖2中電路正常工作時，ZD1的負端的電位因D2的導通而使ZD1不足以導通，Q1，截止

；D1的負端為高電平所以Q3也截止。C1未充電
，兩端的電位為0.IGBTQ3短路後退出飽和狀態，集電極電位迅速上升，D2由導通轉向截止。當驅動信號為高電平時，ZD1被擊穿

，C2能夠使Q1的開通有一小段的延時
，使得Q3導通時可以有一小段的下降時間，避免了正常工作時保護電路的誤保護。ZD1被擊穿後Q1由於C2的存在經過一段很短的時間後延時導通，C1開始通過R4，Q1充電，D1的負端電位開始下降，當D1的負端電位開始下降到D1與Q3be結的壓降之和時Q3開始導通


，Q2、Q4基極電位開始下降
，Q3的柵極電壓也開始下降。當C1充電到ZD2的擊穿電壓時ZD2被擊穿
，C1停止充電，降柵壓的過程也結束
，柵極電壓被鉗位在一個固定的電平上。Q3的集電極電流也被降低到一個固定的水平上。