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舉例說明：消除全橋逆變IGBT電壓尖峰的方法

發布時間：2014-12-20 責任編輯：sherryyu

【導讀】電子工程師都知道要消除全橋逆變IGBT電(dian)壓(ya)尖(jian)峰(feng)一(yi)般(ban)用(yong)的(de)都(dou)是(shi)無(wu)感(gan)電(dian)容(rong)，但(dan)是(shi)理(li)論(lun)知(zhi)識(shi)了(le)解(jie)不(bu)代(dai)表(biao)實(shi)踐(jian)中(zhong)也(ye)能(neng)解(jie)決(jue)，問(wen)題(ti)來(lai)了(le)，這(zhe)樣(yang)的(de)無(wu)感(gan)電(dian)容(rong)要(yao)選(xuan)擇(ze)多(duo)大(da)呢(ne)？本(ben)文(wen)就(jiu)結(jie)合(he)實(shi)例(li)給(gei)出(chu)大(da)家(jia)方(fang)法(fa)。

全橋逆變器中的IGBT電壓尖峰，通常來說都需要使用無感電容來消除。但是究竟該使用多大的無感電容卻是一個相對複雜的問題，本篇文章就舉例說明了IGBT的電壓尖峰消除問題。

消除全橋逆變IGBT電壓尖峰的方法

圖1

從圖1中能夠看到，尖峰已經達到穩定輸出電壓的二倍，並且這個IGBT的功率並不高，隻有75A。接下來就看看如何消除尖峰。

需要做的很簡單，就是調整反並在IGBT上的二極管的反向恢複時間。

IGBT沒有結構上需要的體二極管，出於安全考慮（避免反向擊穿），一般IGBT內部都反向並聯了一隻二極管，隨著現代開關電源技術的發展，軟開關得到普遍應用，要求這隻二極管具有很好的反向恢複特性，所以現在的IGBT內並聯的二極管反向恢複特性越來越好。但是如果用這種IGBT做硬開關，因為漏感等因素在CE上，產生的尖峰電壓通過二極管反向恢複通道泄放的時間太短，造成剩餘能量太多，就會出現尖峰過高的問題。

此時就要再並聯一個4007，但是有三點需要注意。

第一、這個並聯要求二極管的反向恢複時間恰到好處，如果覺得4007不合適，可以換別成其他型號的二極管試試。

第二、如果覺得4007的電流太小不放心，就2隻4007串了以後再與IGBT反並，這樣主反向電流就隻走原來的二極管了，隻有電壓尖峰才走4007的反向恢複通道。

第三、如果由於反向恢複電流（即吸收電流）太大而效率降低二極管發熱，就需要考慮驅動方式了，讓上下管錯開驅動時間，避免同步驅動引起的二極管反向恢複直通引起的損耗。

這裏說的主要是關閉時的電壓尖峰，以前用MOS做全橋一般不會出現這個問題，因為MOS的體二極管反向恢複時間足夠長，原因在這裏。

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