可將元件損失降低50%的肖特基勢壘二極管
發布時間:2013-03-22 責任編輯:easonxu
【導讀】東芝將量產SiC製肖特基勢壘二極管,可將元件損失降低50%以上。新產品可用於服務器電源、光伏發電用功率調節器等用途,新產品的反向重複峰值電壓VRRM為650V,平均正向電流IFM為12A,正向電壓VF為1.7V,反向重複峰值電流IRRM為90μA。
東芝於2013年3月19日宣布,將從2013年3月底開始在該公司的姬路半導體工廠量產SiC功率半導體產品。最初量產的是SiC肖特基勢壘二極管TRS12E65C。

圖1:肖特基勢壘二極管
新產品可用於服務器電源、光伏發電用功率調節器等用途,與以往的Si二極管相比,在電源用途可將元件損失降低50%以上(與該公司產品的比較)。新產品的反向重複峰值電壓VRRM為650V,平均正向電流IFM為12A,正向電壓VF為1.7V(正向電流為12A時的最大值),反向重複峰值電流IRRM為90μA(反向重複峰值電壓為650V時的最大值)。
TRS12E65C的量產規模預定為100萬個/月。東芝預測,采用SiC的功率半導體市場到2020年將增長至目前的約10倍,今後該公司將繼續通過增加符合市場需求的新產品來強化業務,爭取在2020年使市場份額達到30%。
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