隨著芯片大廠英特爾2012年推出Ivy Bridge新平台，芯片組支持USB 3.0

，確認USB 3.0成為主流規格，預計在新的操作係統Windows 8發酵下，將促成USB 3.0快速地普及化。USB 3.0的數據傳輸速度達到5Gbps，比USB 2.0快上十倍。為實現如此高速的傳輸速度，USB 3.0控製芯片必須使用最先進的半導體製程技術
，所使用的組件閘極氧化層很薄且接麵很淺

，造成USB 3.0的控製芯片對ESD的耐受能力快速下降。

另一個問題在於使用者最普遍的USB應用就是隨插即用、隨拔即關，然而這個熱插拔(Hot Plug)動作卻也經常是造成電子係統工作異常，甚至造成USB控kong製zhi芯xin片pian毀hui壞huai的de元yuan凶xiong。因yin為wei在zai熱re插cha拔ba中zhong，由you於yu接jie口kou端duan的de訊xun號hao線xian已yi經jing帶dai電dian，本ben身shen就jiu像xiang是shi個ge帶dai電dian的de大da電dian容rong會hui在zai接jie觸chu係xi統tong時shi作zuo放fang電dian動dong作zuo。這zhe種zhong現xian象xiang等deng同tong於yu靜jing電dian放fang電dian效xiao應ying
，會hui對dui係xi統tong產chan生sheng嚴yan重zhong破po壞huai，我wo們men一yi般ban稱cheng這zhe種zhong現xian象xiang為wei直zhi接jie放fang電dian(Direct Injection)。


對於USB 3.0的高速接口而言，在選擇ESD保護組件時必須考慮到以下幾個要點：

1. ESD保護組件若要能對係統提供有效保護
，除了本身要能承受夠高的ESD轟擊外，還需要考慮箝製電壓(Clamping Voltage)是否足夠低，使得ESD的能量能被箝製在更低的電壓以防止係統內部電路受到損毀。因此箝製電壓是判斷ESD保護組件對於係統電路保護效能最重要的參數。

2. 為確保USB 3.0高速訊號傳輸時不會受到影響以及訊號的完整性
，所以選擇ESD保護組件時

，必須選擇其寄生電容越低越好

，建議選擇寄生電容必須低於0.3pF。

3. 在電子產品朝向輕薄短小的發展趨勢下，產品使用的印刷電路板麵積已變得寸土寸金。針對USB 3.0接口
，使用單顆多信道的ESD保護組件為目前最經濟有效的選擇。

晶焱科技擁有先進的ESD防護設計技術
，特別針對USB 3.0的防護需求，推出AZ1065係列的ESD保護組件。為避免保護組件的寄生電容影響USB 3.0的高速傳輸，AZ1065係列產品的寄生電容低於0.3pF，能夠順利通過5Gbps的Eye Diagram測試。

最重要的，AZ1065係列產品擁有最低的ESD箝製電壓，能夠有效地協助USB 3.0接口通過以Direct-Pin Injection方式的±8kV靜電放電轟擊。圖一為利用傳輸線脈衝產生係統(TLP)量測AZ1065係列產品的電流對電壓曲線。在IEC 61000-4-2接觸模式6kV的ESD衝擊下(等效TLP電流約為17A)，箝製電壓僅有13V，能有效避免係統產品於ESD測試時發生數據錯誤
、當機甚至損壞的情況。




此外，AZ1065係列產品提供了6個極低電容的接腳
，可同時保護USB 3.0的兩組差動對(TX和RX)與USB 2.0的差動對(D+和D-)，以及電源端VBUS的保護，具有縮小印刷電路板麵積與降低布局(Layout)複雜度等優點，可節省係統成本。更特別的是其DFN-10的封裝並且采用交錯型式的接腳

，提供印刷電路板布局時可利用穿透式(Feed through)的設計，如圖二所示。因此，AZ1065係列產品為目前USB 3.0的最佳ESD解決方案。