中國科學院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS製程上取得進展
，成功製造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出，中國本土設計與製造的22nm組件展現出更高性能與低功耗。

根據中科院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心表示，這項研發項目並結合來自北京大學
、清華大學、複旦大學以及中科院微係統所的研究人員們經過3年的共同努力，於近期取得了突破性進展。

針對22nm CMOS技術節點的挑戰，該產學研發團隊在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 
、漏電流降低3個數量級以及金屬閘主動功函數距矽晶能隙距離≦0.2eV的成果

，成功研發出組件性能進一步提升的22nm MOSFET 組件。

中科院微電子研究所與微係統所、北京大學

、清華大學、複旦大學的開發團隊們已完成了1369項專利申請(國際專利申請424項)

，其中高K/金屬閘極製程及相關專利、金屬堆棧結構及其它專利已開始在中國製造廠導入開發。

中科院指出，導入中國自行開發的22nm IC技術
，將可為中國節省進口國外芯片或製程技術的龐大費用，並提升中國國產IC的競爭力。

22/20-nm先(xian)進(jin)製(zhi)程(cheng)技(ji)術(shu)才(cai)剛(gang)導(dao)入(ru)商(shang)用(yong)領(ling)域(yu)，該(gai)技(ji)術(shu)之(zhi)以(yi)受(shou)到(dao)重(zhong)視(shi)要(yao)在(zai)於(yu)它(ta)能(neng)為(wei)智(zhi)能(neng)型(xing)手(shou)機(ji)與(yu)平(ping)板(ban)計(ji)算(suan)機(ji)降(jiang)低(di)功(gong)耗(hao)

，從(cong)而(er)實(shi)現(xian)更(geng)長(chang)的(de)電(dian)池(chi)壽(shou)命(ming)。然(ran)而(er)，中(zhong)國(guo)在(zai)22nm晶體管技術開發道路上約落後西方2-4年。英特爾(Intel)先前已量產22nm FinFET 製程組件
，而台積電(TSMC)也預計將在2013年量產20nm 平麵 CMOS 製程。

多年來，在 CoCom 輸出條款以及 Wassennaar xieyidexianzhixia，zhongguoxianjindianzizhizaojishulingyuyizhiyinweiwufaqudewailaigaokejichanpinyujishuershiqifazhanshouzu。raner

，jinnianlai
，zhongguoyitouguoyixiliedewailaizhijishushouquanyijiziwojiaoyuerzhujianyingtouganshang。zhongguobentudejingyuandaigongchangzhongxinguoji(SMIC)目前已有能力提供商用40nm CMOS 製程。

根據中國新華社的報導，中國展開先進22nm晶體管製造屬於2009年國家重大科技專項的一部份。