針對便攜及消費產品的電路保護
發布時間:2012-11-16 責任編輯:rexliu
【導讀】對於電子產品而言,保護電路是為了防止電路中的關鍵敏感型器件受到過流、過壓、過熱等衝擊的損害,有著極其重要的作用。本位以安森美為例,強調電路保護的重要,提供一些電路保護的思路。
對於電子產品而言,保護電路是為了防止電路中的關鍵敏感型器件受到過流、過壓、過guo熱re等deng衝chong擊ji的de損sun害hai。電dian路lu保bao護hu的de優you劣lie對dui電dian子zi產chan品pin的de質zhi量liang和he壽shou命ming至zhi關guan重zhong要yao。隨sui著zhe消xiao費fei類lei電dian子zi產chan品pin需xu求qiu的de持chi續xu增zeng長chang,更geng要yao求qiu有you強qiang固gu的de靜jing電dian放fang電dian保bao護hu,同tong時shi還hai要yao減jian少shao不bu必bi要yao的de電dian磁ci幹gan擾rao和he射she頻pin幹gan擾rao噪zao聲sheng。此ci外wai,消xiao費fei者zhe希xi望wang最zui新xin款kuan的de消xiao費fei電dian子zi產chan品pin可ke以yi用yong小xiao尺chi寸cun設she備bei滿man足zu越yue來lai越yue高gao的de下xia載zai和he帶dai寬kuan能neng力li。隨sui著zhe設she備bei的de越yue來lai越yue小xiao和he融rong入ru性xing能neng的de不bu斷duan增zeng加jia,ESD以及許多情況下的EMI/RFI抑製已無法涵蓋在驅動所需接口的新一代IC當中。
另外,先進的係統級芯片設計都是采用幾何尺寸很小的工藝製造的。為了優化功能和芯片尺寸,IC設計人員一直在不斷減少其設計的功能的最小尺寸。IC尺寸的縮小導致器件更容易受到ESD電壓的損害。
過去,設計人員隻要選擇符合IEC61000-4-2規gui範fan的de一yi個ge保bao護hu產chan品pin就jiu足zu夠gou了le。因yin此ci,大da多duo數shu保bao護hu產chan品pin的de數shu據ju表biao隻zhi包bao括kuo符fu合he評ping級ji要yao求qiu。由you於yu集ji成cheng電dian路lu變bian得de越yue來lai越yue敏min感gan,較jiao新xin的de設she計ji都dou有you保bao護hu元yuan件jian來lai滿man足zu標biao準zhun評ping級ji,但danESD衝擊仍會形成過高的電壓,有可能損壞IC。因此,設計人員必須選擇一個或幾個保護產品,不僅要符合ESD脈衝要求,而且也可以將ESD衝擊鉗位到足夠低的電壓,以確保IC得到保護。

圖1:美國靜電放電協會(ESDA)的ESD保護要求
安森美半導體的ESD鉗位性能備受業界推崇,鉗位性能可從幾種方法觀察和量化。使用幾個標準工具即可測量獨立ESD保護器件或集成器件的ESD鉗位能力,包括ESD保護功能。第一個工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脈衝響應截圖,顯示的是隨時間推移的鉗位電壓響應,可以看出ESD事件中下遊器件的情形。

圖2:ESD鉗鉗位截圖
除了ESD鉗位屏幕截圖,另一種方法是測量傳輸線路脈衝(TLP)來評估ESD鉗位性能。由於ESD事件是一個很短的瞬態脈衝,TLP可以測量電流與電壓(I-V)數據,其中每個數據點都是從短方脈衝獲得的。TLP I-V曲線和參數可以用來比較不同TVS器件的屬性,也可用於預測電路的ESD鉗位性能。

圖3:典型TLP I-V曲線圖
安森美半導體提供的高速接口ESDbaohubaohuqijianzhenrongyouliangzhongleixing。diyileizuirongyishixian,beichengweichuantongshejibaohu。zaizhezhongleixingshejizhong,xinhaoxianzaiqijianxiayunxing。zhexieqijiantongchangshidianrongzuididechanpin。
另一類是采用PicoGuard? XS技術的產品。這種類型設計使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路,可保證100 Ω的阻抗,相當於電容為零。這類設計無需並聯電感,有助於最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。

圖4:傳統方法與PicoGuard? XS設計方法的對比
安森美半導體的保護和濾波解決方案均基於傳統矽芯片工藝技術。相比之下,其它類型的低成本無源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類器件通常ESDqianweixingnengjiaocha。zaimouxieqingkuangxia,chuandigeixiayouqijiandenengliangkenengbiansenmeibandaotijiejuefangandiyigeliangji。yixiecaiyongjiuyoujishudechanpinshenzhikenengzaixiaoliangESD衝(chong)擊(ji)後(hou)出(chu)現(xian)劣(lie)化(hua)並(bing)變(bian)得(de)更(geng)糟(zao)。由(you)於(yu)其(qi)材(cai)料(liao)性(xing)質(zhi),一(yi)些(xie)無(wu)源(yuan)器(qi)件(jian)往(wang)往(wang)表(biao)現(xian)出(chu)溫(wen)度(du)的(de)不(bu)一(yi)致(zhi)性(xing),從(cong)而(er)降(jiang)低(di)了(le)終(zhong)端(duan)係(xi)統(tong)在(zai)標(biao)準(zhun)消(xiao)費(fei)溫(wen)度(du)和(he)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)內(nei)運(yun)行(xing)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。
必須兼顧其它特性
ESD和EMI解jie決jue方fang案an可ke防fang止zhi不bu要yao的de信xin號hao幹gan擾rao係xi統tong的de整zheng體ti性xing能neng。在zai係xi統tong正zheng常chang運yun行xing期qi間jian,保bao護hu器qi件jian還hai必bi須xu保bao持chi給gei定ding接jie口kou良liang好hao的de信xin號hao完wan整zheng性xing,換huan言yan之zhi它ta應ying該gai是shi完wan全quan“透明”的。安森美半導體的器件適用於運行和保護當今最常用的消費類電子係統接口。通常,使用S參數插入損耗曲線即可測量信號完整性的影響,濾波器解決方案還可以測量濾波器的響應情況,也可以用眼圖測量信號完整性(尤其是高速器件),以證明在無幹擾正常運行期間器件可實現的最大數據傳輸速率。
安森美半導體有兩個基本類型的EMI濾波器。第一類是用於並行接口的各種陣列配置的單端低通濾波器;分為傳統和通用電阻-電容(RC)版本,以及適用於高速度和功耗敏感接口的電感-電容(LC)版本。

圖5:單端低通濾波器特性
根據規格,每個元件都有一個通帶範圍。這些器件的可截止高頻範圍從700 MHz至6 GHz。
第二類EMI濾lv波bo器qi適shi用yong於yu高gao速su串chuan行xing接jie口kou,功gong能neng超chao過guo了le典dian型xing低di通tong濾lv波bo器qi。這zhe類lei接jie口kou是shi具ju有you固gu有you噪zao聲sheng抑yi製zhi的de差cha分fen信xin號hao路lu徑jing,但dan不bu會hui完wan全quan免mian疫yi來lai自zi外wai部bu源yuan的de共gong模mo噪zao聲sheng,或huo阻zu止zhi來lai自zi輻fu射she到dao係xi統tong其qi他ta部bu分fen的de接jie口kou信xin號hao。

圖6:共模濾波器(CMF)特性
受保護的共模濾波器(pCMF)可(ke)以(yi)用(yong)來(lai)消(xiao)除(chu)不(bu)必(bi)要(yao)的(de)共(gong)模(mo)噪(zao)聲(sheng),也(ye)可(ke)以(yi)防(fang)止(zhi)輻(fu)射(she)的(de)有(you)害(hai)共(gong)模(mo)噪(zao)聲(sheng)信(xin)號(hao)從(cong)高(gao)速(su)接(jie)口(kou)進(jin)入(ru)係(xi)統(tong)的(de)其(qi)它(ta)部(bu)分(fen)。同(tong)時(shi),它(ta)還(hai)可(ke)以(yi)使(shi)高(gao)速(su)數(shu)據(ju)通(tong)道(dao)幾(ji)乎(hu)不(bu)受(shou)幹(gan)擾(rao)。
除了ESD衝擊保護,安森美半導體還提供防止由雷擊或功率交叉(power-cross)故障造成浪湧衝擊的解決方案。各種消費電子和電信/網絡設備中的通用接口都是符合10/100BASE-T和1000BASE-T以太網協議的RJ45接口,其浪湧額定值往往是室內標準。這些接口由四對差分數據線組成,每根線可傳輸最高250 Mbps的數據速率。這類接口的保護需要確保橫向(金屬性)浪湧衝擊不致損壞敏感的下遊芯片(如物理層)。這是通過線至線(每對線)連接分流保護元件 (shunt protection element)來轉移進入的浪湧能量實現的。
對於較低數據速率(10/100BASE-T) 的應用,安森美半導體提供了一種稱為TSPD(晶閘管浪湧保護器件)的消弧(crowbar)器件組合,以及用於類似ESD保護的鉗位器件。TSPD可提供低鉗位電壓的優勢,並具有較高的浪湧電流能力。例如,這些器件可以滿足GR-1089 10/1000 μs標準的要求,因此適合初級端或次級端的保護,也被稱為“線端”保護。TVS(瞬態抑製二極管)鉗位器件支持8/20 μs脈衝的浪湧級別,通常用於第三級(tertiary)或PHY側以捕獲並安全地消除任何殘餘浪湧脈衝。
典型電路保護應用示例
智能手機應用是一種比較典型的保護應用,安森美半導體的解決方案包括數據濾波器、ESD保護二極管及陣列和電壓保護器件等。消費和便攜式應用的 USB2.0保護包括高速對、VCC和低電容ESD保護;而USB 3.0則有兩個超高速對和一個高速對,以及VCC、低電容ESD保護。eSATA接口有兩個高速對和低電容ESD保護。

圖7:智能手機框圖及需要保護的I/O接口(見右下側淺藍色背景區域)
針對4至12線的攝像頭和顯示器的並行接口,安森美半導體有低通LC濾波器+ ESD保護器件,以及3至5個高速串行通道的共模濾波器+ ESD保護。對於便攜式HDMI、消費類HDMI/顯示端口,可以采用四個高速對、多達6個額外接口線、低電容ESD+共模濾波器方案。
此外,安森美半導體的保護應用還包括音頻(音箱/耳機)、SD接口、SIM卡、鍵盤EMI抑製、以太網,以及T1/E1、T3/E3和xDSL端口等,可以滿足消費類電子產品對強大ESD保護及減少EMI/RFI噪聲的更高要求。
應用於便攜及消費應用接口的強大ESD保護及EMI濾波產品陣容
安森美半導體身為全球高能效電子產品的首要矽方案供應商,在電路保護市場高居第一,為便攜及無線、消費、計算機及外設、汽車及電信等市場提供豐富多樣的 ESD保護及EMI/RFI濾波產品。表1和表2分別列出了安森美半導體應用於便攜應用接口及消費應用接口的ESD保護及EMI濾波方案,客戶可以根據實際應用需求選擇適合的方案。

表1:安森美半導體便攜應用接口ESD保護及EMI濾波方案

表2:安森美半導體消費應用接口ESD保護及EMI濾波方案
安森美半導體在電路保護方麵的產品包括:業界最低電容、極低鉗位電壓的傳統ESD保護方案;在市場上率先推出的相當於提供零電容的PicoGuard XS保護方案;以及同樣是在市場上率先推出的集成ESD保護的共模濾波器方案。這些高集成度保護方案幫助客戶保護其產品中速度越來越高的敏感芯片組,並減少電路板占用空間。
對於電子產品而言,保護電路是為了防止電路中的關鍵敏感型器件受到過流、過壓、過guo熱re等deng衝chong擊ji的de損sun害hai。電dian路lu保bao護hu的de優you劣lie對dui電dian子zi產chan品pin的de質zhi量liang和he壽shou命ming至zhi關guan重zhong要yao。隨sui著zhe消xiao費fei類lei電dian子zi產chan品pin需xu求qiu的de持chi續xu增zeng長chang,更geng要yao求qiu有you強qiang固gu的de靜jing電dian放fang電dian保bao護hu,同tong時shi還hai要yao減jian少shao不bu必bi要yao的de電dian磁ci幹gan擾rao和he射she頻pin幹gan擾rao噪zao聲sheng。此ci外wai,消xiao費fei者zhe希xi望wang最zui新xin款kuan的de消xiao費fei電dian子zi產chan品pin可ke以yi用yong小xiao尺chi寸cun設she備bei滿man足zu越yue來lai越yue高gao的de下xia載zai和he帶dai寬kuan能neng力li。隨sui著zhe設she備bei的de越yue來lai越yue小xiao和he融rong入ru性xing能neng的de不bu斷duan增zeng加jia,ESD以及許多情況下的EMI/RFI抑製已無法涵蓋在驅動所需接口的新一代IC當中。
另外,先進的係統級芯片設計都是采用幾何尺寸很小的工藝製造的。為了優化功能和芯片尺寸,IC設計人員一直在不斷減少其設計的功能的最小尺寸。IC尺寸的縮小導致器件更容易受到ESD電壓的損害。
過去,設計人員隻要選擇符合IEC61000-4-2規gui範fan的de一yi個ge保bao護hu產chan品pin就jiu足zu夠gou了le。因yin此ci,大da多duo數shu保bao護hu產chan品pin的de數shu據ju表biao隻zhi包bao括kuo符fu合he評ping級ji要yao求qiu。由you於yu集ji成cheng電dian路lu變bian得de越yue來lai越yue敏min感gan,較jiao新xin的de設she計ji都dou有you保bao護hu元yuan件jian來lai滿man足zu標biao準zhun評ping級ji,但danESD衝擊仍會形成過高的電壓,有可能損壞IC。因此,設計人員必須選擇一個或幾個保護產品,不僅要符合ESD脈衝要求,而且也可以將ESD衝擊鉗位到足夠低的電壓,以確保IC得到保護。

圖1:美國靜電放電協會(ESDA)的ESD保護要求
安森美半導體的ESD鉗位性能備受業界推崇,鉗位性能可從幾種方法觀察和量化。使用幾個標準工具即可測量獨立ESD保護器件或集成器件的ESD鉗位能力,包括ESD保護功能。第一個工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脈衝響應截圖,顯示的是隨時間推移的鉗位電壓響應,可以看出ESD事件中下遊器件的情形。

圖2:ESD鉗鉗位截圖
除了ESD鉗位屏幕截圖,另一種方法是測量傳輸線路脈衝(TLP)來評估ESD鉗位性能。由於ESD事件是一個很短的瞬態脈衝,TLP可以測量電流與電壓(I-V)數據,其中每個數據點都是從短方脈衝獲得的。TLP I-V曲線和參數可以用來比較不同TVS器件的屬性,也可用於預測電路的ESD鉗位性能。

圖3:典型TLP I-V曲線圖
安森美半導體提供的高速接口ESDbaohubaohuqijianzhenrongyouliangzhongleixing。diyileizuirongyishixian,beichengweichuantongshejibaohu。zaizhezhongleixingshejizhong,xinhaoxianzaiqijianxiayunxing。zhexieqijiantongchangshidianrongzuididechanpin。
另一類是采用PicoGuard? XS技術的產品。這種類型設計使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路,可保證100 Ω的阻抗,相當於電容為零。這類設計無需並聯電感,有助於最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。

圖4:傳統方法與PicoGuard? XS設計方法的對比
安森美半導體的保護和濾波解決方案均基於傳統矽芯片工藝技術。相比之下,其它類型的低成本無源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類器件通常ESDqianweixingnengjiaocha。zaimouxieqingkuangxia,chuandigeixiayouqijiandenengliangkenengbiansenmeibandaotijiejuefangandiyigeliangji。yixiecaiyongjiuyoujishudechanpinshenzhikenengzaixiaoliangESD衝(chong)擊(ji)後(hou)出(chu)現(xian)劣(lie)化(hua)並(bing)變(bian)得(de)更(geng)糟(zao)。由(you)於(yu)其(qi)材(cai)料(liao)性(xing)質(zhi),一(yi)些(xie)無(wu)源(yuan)器(qi)件(jian)往(wang)往(wang)表(biao)現(xian)出(chu)溫(wen)度(du)的(de)不(bu)一(yi)致(zhi)性(xing),從(cong)而(er)降(jiang)低(di)了(le)終(zhong)端(duan)係(xi)統(tong)在(zai)標(biao)準(zhun)消(xiao)費(fei)溫(wen)度(du)和(he)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)內(nei)運(yun)行(xing)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。
必須兼顧其它特性
ESD和EMI解jie決jue方fang案an可ke防fang止zhi不bu要yao的de信xin號hao幹gan擾rao係xi統tong的de整zheng體ti性xing能neng。在zai係xi統tong正zheng常chang運yun行xing期qi間jian,保bao護hu器qi件jian還hai必bi須xu保bao持chi給gei定ding接jie口kou良liang好hao的de信xin號hao完wan整zheng性xing,換huan言yan之zhi它ta應ying該gai是shi完wan全quan“透明”的。安森美半導體的器件適用於運行和保護當今最常用的消費類電子係統接口。通常,使用S參數插入損耗曲線即可測量信號完整性的影響,濾波器解決方案還可以測量濾波器的響應情況,也可以用眼圖測量信號完整性(尤其是高速器件),以證明在無幹擾正常運行期間器件可實現的最大數據傳輸速率。
安森美半導體有兩個基本類型的EMI濾波器。第一類是用於並行接口的各種陣列配置的單端低通濾波器;分為傳統和通用電阻-電容(RC)版本,以及適用於高速度和功耗敏感接口的電感-電容(LC)版本。

圖5:單端低通濾波器特性
根據規格,每個元件都有一個通帶範圍。這些器件的可截止高頻範圍從700 MHz至6 GHz。
第二類EMI濾lv波bo器qi適shi用yong於yu高gao速su串chuan行xing接jie口kou,功gong能neng超chao過guo了le典dian型xing低di通tong濾lv波bo器qi。這zhe類lei接jie口kou是shi具ju有you固gu有you噪zao聲sheng抑yi製zhi的de差cha分fen信xin號hao路lu徑jing,但dan不bu會hui完wan全quan免mian疫yi來lai自zi外wai部bu源yuan的de共gong模mo噪zao聲sheng,或huo阻zu止zhi來lai自zi輻fu射she到dao係xi統tong其qi他ta部bu分fen的de接jie口kou信xin號hao。

圖6:共模濾波器(CMF)特性
受保護的共模濾波器(pCMF)可(ke)以(yi)用(yong)來(lai)消(xiao)除(chu)不(bu)必(bi)要(yao)的(de)共(gong)模(mo)噪(zao)聲(sheng),也(ye)可(ke)以(yi)防(fang)止(zhi)輻(fu)射(she)的(de)有(you)害(hai)共(gong)模(mo)噪(zao)聲(sheng)信(xin)號(hao)從(cong)高(gao)速(su)接(jie)口(kou)進(jin)入(ru)係(xi)統(tong)的(de)其(qi)它(ta)部(bu)分(fen)。同(tong)時(shi),它(ta)還(hai)可(ke)以(yi)使(shi)高(gao)速(su)數(shu)據(ju)通(tong)道(dao)幾(ji)乎(hu)不(bu)受(shou)幹(gan)擾(rao)。
除了ESD衝擊保護,安森美半導體還提供防止由雷擊或功率交叉(power-cross)故障造成浪湧衝擊的解決方案。各種消費電子和電信/網絡設備中的通用接口都是符合10/100BASE-T和1000BASE-T以太網協議的RJ45接口,其浪湧額定值往往是室內標準。這些接口由四對差分數據線組成,每根線可傳輸最高250 Mbps的數據速率。這類接口的保護需要確保橫向(金屬性)浪湧衝擊不致損壞敏感的下遊芯片(如物理層)。這是通過線至線(每對線)連接分流保護元件 (shunt protection element)來轉移進入的浪湧能量實現的。
對於較低數據速率(10/100BASE-T) 的應用,安森美半導體提供了一種稱為TSPD(晶閘管浪湧保護器件)的消弧(crowbar)器件組合,以及用於類似ESD保護的鉗位器件。TSPD可提供低鉗位電壓的優勢,並具有較高的浪湧電流能力。例如,這些器件可以滿足GR-1089 10/1000 μs標準的要求,因此適合初級端或次級端的保護,也被稱為“線端”保護。TVS(瞬態抑製二極管)鉗位器件支持8/20 μs脈衝的浪湧級別,通常用於第三級(tertiary)或PHY側以捕獲並安全地消除任何殘餘浪湧脈衝。
典型電路保護應用示例
智能手機應用是一種比較典型的保護應用,安森美半導體的解決方案包括數據濾波器、ESD保護二極管及陣列和電壓保護器件等。消費和便攜式應用的 USB2.0保護包括高速對、VCC和低電容ESD保護;而USB 3.0則有兩個超高速對和一個高速對,以及VCC、低電容ESD保護。eSATA接口有兩個高速對和低電容ESD保護。

圖7:智能手機框圖及需要保護的I/O接口(見右下側淺藍色背景區域)
針對4至12線的攝像頭和顯示器的並行接口,安森美半導體有低通LC濾波器+ ESD保護器件,以及3至5個高速串行通道的共模濾波器+ ESD保護。對於便攜式HDMI、消費類HDMI/顯示端口,可以采用四個高速對、多達6個額外接口線、低電容ESD+共模濾波器方案。
此外,安森美半導體的保護應用還包括音頻(音箱/耳機)、SD接口、SIM卡、鍵盤EMI抑製、以太網,以及T1/E1、T3/E3和xDSL端口等,可以滿足消費類電子產品對強大ESD保護及減少EMI/RFI噪聲的更高要求。
應用於便攜及消費應用接口的強大ESD保護及EMI濾波產品陣容
安森美半導體身為全球高能效電子產品的首要矽方案供應商,在電路保護市場高居第一,為便攜及無線、消費、計算機及外設、汽車及電信等市場提供豐富多樣的 ESD保護及EMI/RFI濾波產品。表1和表2分別列出了安森美半導體應用於便攜應用接口及消費應用接口的ESD保護及EMI濾波方案,客戶可以根據實際應用需求選擇適合的方案。

表1:安森美半導體便攜應用接口ESD保護及EMI濾波方案

表2:安森美半導體消費應用接口ESD保護及EMI濾波方案
特別推薦
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
技術文章更多>>
- 如何使用工業級串行數字輸入來設計具有並行接口的數字輸入模塊
- 邊緣AI的發展為更智能、更可持續的技術鋪平道路
- 每台智能體PC,都是AI時代的新入口
- IAR作為Qt Group獨立BU攜兩項重磅汽車電子應用開發方案首秀北京車展
- 構建具有網絡彈性的嵌入式係統:來自行業領袖的洞見
技術白皮書下載更多>>
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
SATA連接器
SD連接器
SII
SIM卡連接器
SMT設備
SMU
SOC
SPANSION
SRAM
SSD
ST
ST-ERICSSON
Sunlord
SynQor
s端子線
Taiyo Yuden
TDK-EPC
TD-SCDMA功放
TD-SCDMA基帶
TE
Tektronix
Thunderbolt
TI
TOREX
TTI
TVS
UPS電源
USB3.0
USB 3.0主控芯片
USB傳輸速度


