【導讀】大日本印刷株式會社（DNP）今日宣布參與Rapidus Corporation的戰略融資，標誌著其在下一代半導體製造領域邁出關鍵一步。此次投資不僅強化了DNP與Rapidus的合作關係，更將加速極紫外光刻（EUV）光掩模技術的開發與量產進程，為2027年實現2納米邏輯半導體的規模化生產奠定堅實基礎。麵對全球對高性能
、低功耗半導體日益增長的需求，DNP正依托其在微細加工領域的核心技術
，積極布局未來半導體產業鏈的關鍵環節。

Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912)今日宣布，公司作為投資方之一參與了Rapidus Corporation的融資輪。本次戰略性融資將支持Rapidus從當前研發階段穩步邁向2027年實現2納米（10⁻⁹米）邏輯半導體量產的計劃。

通過本次融資，DNP將加快極紫外光刻光掩模的開發和量產，為Rapidus搭建2納米及下一代半導體量產體係提供支持。

背景

近年來
，隨著數據生成量增長帶來的能耗上升已成為一項挑戰，市場對能夠提升設備性能和降低功耗的下一代半導體需求持續增長。

與現有技術相比
，采用極紫外光刻技術製造的下一代半導體可在矽片上形成更精細的電路圖案。這反過來又提高了人們對實現更高性能、更低功耗半導體的期望。

在此背景下
，DNP於2024年在日本新能源產業技術綜合開發機構(NEDO)主導的“後5G信息和通信係統基礎設施強化研發項目”中被選定為Rapidus的子承包商。依托該項目
，DNP持續推進2納米世代極紫外光刻光掩模製造工藝的開發。

展望未來
，為助力Rapidus在2027年實現2納米世代邏輯半導體量產的目標，DNP致力於盡早實現2納米世代極紫外光刻光掩模的高良率

、短交期生產。本次投資將進一步深化兩家公司迄今建立的合作關係。

未來展望

DNP將極紫外光刻光掩模定位為其半導體相關業務的核心增長驅動力。公司將持續積極投入，同時推進技術研發，力爭實現更精細的1.4納米世代及未來工藝。通過這些舉措
，DNP將為日本半導體產業的發展做出貢獻。

關於DNP

DNP創立於1876年(nian)
，現(xian)已(yi)成(cheng)為(wei)全(quan)球(qiu)領(ling)軍(jun)企(qi)業(ye)
，以(yi)印(yin)刷(shua)技(ji)術(shu)為(wei)根(gen)基(ji)開(kai)拓(tuo)新(xin)的(de)商(shang)業(ye)機(ji)遇(yu)，兼(jian)顧(gu)環(huan)境(jing)保(bao)護(hu)，致(zhi)力(li)構(gou)建(jian)更(geng)具(ju)活(huo)力(li)的(de)世(shi)界(jie)。公(gong)司(si)依(yi)托(tuo)微(wei)細(xi)加(jia)工(gong)與(yu)精(jing)密(mi)塗(tu)布(bu)核(he)心(xin)技(ji)術(shu)，為(wei)顯(xian)示(shi)設(she)備(bei)
、電子器件及光學薄膜市場提供產品。

總結

通過本輪戰略投資，DNP進一步鞏固了其在先進半導體材料領域的領先地位，並明確將極紫外光刻光掩模作為核心增長引擎。公司不僅致力於實現2納米世代光掩模的高良率與短交期量產，還前瞻性地推進1.4納米及更先進工藝的技術研發。此舉不僅助力Rapidus達成量產目標
，也將為日本乃至全球半導體產業的可持續發展注入強勁動力
，彰顯DNP以技術創新推動社會進步的長期承諾。