一、高頻電容和瓷片電容

一般來說瓷片電容和高頻電容是極為相似的兩種電容器，事實上高頻電容和瓷片電容是有區別的。高頻電容是陶瓷電容器的一種。

 

陶瓷電容器用高介電常數的電容器陶瓷（鈦酸鋇一氧化鈦）擠壓成圓管

、圓片或圓盤作為介質，並用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極製成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。

 

陶瓷電容器具有小的正電容溫度係數的電容器
，用於高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。

 

 

低頻瓷介電容器限於在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈衝電路中
，因為它們易於被脈衝電壓擊穿。

 

高頻瓷介電容器由一種濃度適於噴塗的特殊混合物噴塗成薄膜而成

，介質再以銀層電極經燒結而成“獨石”結(jie)構(gou)。高(gao)頻(pin)瓷(ci)介(jie)電(dian)容(rong)器(qi)適(shi)用(yong)於(yu)高(gao)頻(pin)電(dian)路(lu)雲(yun)母(mu)電(dian)容(rong)器(qi)。就(jiu)結(jie)構(gou)而(er)言(yan)
，可(ke)分(fen)為(wei)箔(bo)片(pian)式(shi)及(ji)被(bei)銀(yin)式(shi)。被(bei)銀(yin)式(shi)電(dian)極(ji)為(wei)直(zhi)接(jie)在(zai)雲(yun)母(mu)片(pian)上(shang)用(yong)真(zhen)空(kong)蒸(zheng)發(fa)法(fa)或(huo)燒(shao)滲(shen)法(fa)鍍(du)上(shang)銀(yin)層(ceng)而(er)成(cheng)，由(you)於(yu)消(xiao)除(chu)了(le)空(kong)氣(qi)間(jian)隙(xi)，溫(wen)度(du)係(xi)數(shu)大(da)為(wei)下(xia)降(jiang)，電(dian)容(rong)穩(wen)定(ding)性(xing)也(ye)比(bi)箔(bo)片(pian)式(shi)高(gao)。

 

片電容主要針對於高頻，高壓瓷片電容取決於使用在什麼場合，典型作用可以消除高頻幹擾。

 

二
、瓷片電容的優點

1
、容量損耗隨溫度頻率具高穩定性。

 

2、特殊的串聯結構適合於高電壓極長期工作可靠性。

 

3、高電流爬升速率並適用於大電流回路無感型結構。

 

高頻電容頻率特性好，Q值高

，溫度係數小
；不能做成大的容量


；廣泛應用在高頻電器中
，並可用作標準電容器玻璃釉電容器。性能可與雲母電容器媲美，能耐受各種氣候環境，一般可在200℃或更高溫度下工作
，額定工作電壓可達500V，損耗tgδ0.0005～0.008。

 

隨著科技發展，高頻電容和瓷片電容已被廣泛使用，選擇質量好，安全的高頻電容和瓷片電容已相當重要。