Mosfet/Diode到散熱片的雜散電容Cm/Cd；及散熱片到地的雜散電容Ce等途徑而耦合到LISN被取樣電阻所俘獲。

 

在不加屏蔽的情況下一般的應對措施是在在Rs的地端和C2的地間接一個Y電容（４７２）。

 

它的作用是雙重的，一是為Mosfet動作產生且串到變壓器副邊的noise 電流（如I4）,提供一個低阻抗的回路，減小到地的電流。二是為二次側Diode產生的且串到變壓器原邊的noise 電流提供低阻抗回路，從而減小流過LISN的電流。

 

增加屏蔽後是怎麼抑製EMI傳播的？如下圖

 

 

這種接法是把C1分成了兩個
，原邊對屏蔽，副邊對屏蔽，各自接地 是的
，就是把它分為兩個電容，在中間點接地。把初級的噪聲旁路掉。 在初次級增加一塊金屬板就可以把初次級的電容變成兩個。

 

 

這樣初級的噪聲就可以從金屬板旁路到地。

 

 

高頻變壓器的層間屏蔽的繞法與對比

 

1.用一個長條的銅或鋁箔包在電源變壓器的初級繞組和次級繞組之間，包繞一圈多
，但首尾不可以相碰（短路），用焊接或裹緊的方式引出接地。它的裏麵和外麵要有絕緣層
，在它的外麵繞次級繞組。

 

2.用直徑0.1～0.3的漆包線密繞一層，繞在電源變壓器的初級繞組和次級繞組之間，一端空著另一端引出接地。它的裏麵和外麵也要有絕緣層。

 

屏蔽層引出一根線要接地也即電位的參考點。常規的屏蔽是做在初次級繞組之間。無論是最外層還是裏麵繞組間做屏蔽都需要注意：用銅箔包裹繞組時
，銅箔頭尾重疊需要絕緣，道理很簡單：不絕緣就重疊相接就是一匝短路的線圈！

 

高頻變壓器中線繞屏蔽和銅箔屏蔽的差別

 

除(chu)了(le)高(gao)頻(pin)變(bian)壓(ya)器(qi)的(de)工(gong)藝(yi)上(shang)的(de)區(qu)別(bie)

，繞(rao)線(xian)屏(ping)蔽(bi)和(he)銅(tong)箔(bo)屏(ping)蔽(bi)這(zhe)兩(liang)種(zhong)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)果(guo)差(cha)不(bu)多(duo)。用(yong)在(zai)具(ju)體(ti)的(de)電(dian)源(yuan)也(ye)不(bu)一(yi)定(ding)就(jiu)說(shuo)得(de)上(shang)那(na)個(ge)好(hao)。至(zhi)於(yu)為(wei)什(shen)麼(me)用(yong)線(xian)屏(ping)蔽(bi)

，可(ke)考(kao)慮(lv)的(de)因(yin)素(su)也(ye)比(bi)較(jiao)多(duo)，成(cheng)本(ben)
，效(xiao)率(lv)等(deng)。還(hai)有(you)一(yi)點(dian)就(jiu)是(shi)用(yong)線(xian)屏(ping)蔽(bi)可(ke)以(yi)更(geng)靈(ling)活(huo)的(de)來(lai)設(she)計(ji)，比(bi)如(ru)屏(ping)蔽(bi)的(de)起(qi)點(dian)，終(zhong)點(dian)，繞(rao)線(xian)方(fang)向(xiang)這(zhe)對(dui)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)果(guo)也(ye)會(hui)有(you)實(shi)際(ji)的(de)影(ying)響(xiang)。

 

用銅線屏蔽成本會低，它可以自動化生產，很多企業有自動機器；還有用銅線屏蔽時生產的產品一致性效果很好在EMI 測試時
；

 

有的屏蔽銅線是做補充繞組使用的
，來調整內部的繞組電容
，很方便調整圈數，在開關變壓器中常用到。

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