開關電源中的電容

電子醫療器械中，需要對電源進行高精度的控製和調節，才能支持設備執行每一功能。交、直(zhi)流(liu)電(dian)源(yuan)均(jun)被(bei)廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)於(yu)這(zhe)些(xie)場(chang)合(he)。開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)用(yong)於(yu)對(dui)這(zhe)些(xie)電(dian)源(yuan)進(jin)行(xing)控(kong)製(zhi)，由(you)於(yu)具(ju)有(you)顯(xian)著(zhu)優(you)點(dian)，開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)已(yi)成(cheng)為(wei)大(da)部(bu)分(fen)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)的(de)標(biao)準(zhun)電(dian)源(yuan)。

dianrongkeyonglaijianshaowenbobingxishoukaiguanwenyaqichanshengdezaosheng，tahaikeyiyongyuhoujiwenya，tigaoshebeidewendingxingheshuntaixiangyingnengli。dianyuanshuchuzhongbuyingchuxianrenhewenbozaoshenghuocanliudoudong。zhexiedianluchangcaiyongtandianronglaijiangdiwenbo
，dantandianrongyoukenengshoudaokaiguanwenyaqidezaoshengyingxiangerchanshengbuanquandeshunbianxianxiang。

為保證可靠工作
，必須降低鉭電容的額定電壓。例如，額定值為10uF/35V的D型鉭電容，工作電壓應降低到17V，如果用在電源輸入端過濾紋波
，額定35V鉭電容可在高達17V的電壓導軌上可靠地工作。

高壓電源總線係統一般很難達到額定電壓降低50%的指標。這種情況限製了鉭電容用於電壓導軌大於28V的應用。目前，由於鉭電容需要被降額使用，高壓濾波應用唯一可行的辦法是采用體積較大且帶引線的電解電容
，而不是鉭電容。

新型鉭電容

為解決降低額定電壓的問題
，Vishay研發部門開發出了具有更高額定電壓等級的新係列SMD固體鉭電容器，額定電壓高達75WVDC。50V額定電壓電容在28V以及更高電壓導軌中的應用引起了設計人員的擔心，而采用Vishay新型的63V和75V鉭電容，可達到額定電壓降低50%的行業認可安全指標。電介質成形更薄、更一致，使SMD固體鉭電容的額定電壓能夠達到75V，從而實現了提高額定電壓的技術突破。成形工藝中對多道工序進行了改進：jiangdilechengxingjiagongguochengzhongchanshengdejixieyinglijizhong，jiangdiledianrongchengxingguochengzhongdianjieyedejubuguore，tigaoledianjiezhichengxingguochengzhongdianjieyenongduhechundudeyizhixing。xinxingdianrongT97係列的額定電壓達75V
，83係列達63V。

無線感應耦合充電

大量的感應充電器采用返馳式轉換器。感應充電為醫療設備電池提供充電電能，同時
，感應充電器也被用於大量的便攜式設備(如牙刷)中。

縮小充電電池尺寸有助於減小采用無線感應充電電路的植入式醫療設備的體積。無線感應充電器可為設備上安裝的微小薄膜(如Cymbet EnerChip)充電式儲能器件安全地充電。感應充電器采用了並聯LC(電感
、電容)諧振儲能電路的工作原理。圖1所示為Cymbet公司的CBC- EVAL-11 RF感應充電器評估套件。

Vishay 595D係列1000uF鉭電容被用作Cymbet接收電路板的C5電容
，為無線電發射等負載提供脈衝電流。此款感應充電器的輸入與輸出之間具有良好的隔離

，這是醫用設備的重要要求。

在zai一yi些xie電dian壓ya較jiao高gao的de感gan應ying充chong電dian器qi應ying用yong中zhong，需xu要yao采cai用yong高gao壓ya穩wen定ding的de電dian容rong作zuo為wei諧xie振zhen電dian容rong。由you於yu感gan應ying充chong電dian器qi的de初chu級ji線xian圈quan需xu要yao采cai用yong交jiao流liu電dian壓ya驅qu動dong
，因yin此ci必bi須xu對dui電dian容rong進jin行xing相xiang應ying的de調tiao整zheng。感gan應ying充chong電dian器qi需xu要yao具ju備bei高gao擊ji穿chuan電dian壓ya(VBD)xingneng，tongshi，mouxieyingyongzhonghaixuyaofanghugaoyadianhufangdian。weibimiandianhufangdian，dianlubanyibanfuyoubaohutuceng，huozhetongguohelianpaiyuanqijianbujudadaogaoyaceyudianlubanqitabufengelidexiaoguo，deng。danzhezhongfangfawangwangxuyaohendadedianlubankongjian，yinweigaoyadianlutongchangcaiyongtijijiaodadeyinxianxingtongkongchazhuangdianrong。
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高壓電弧防護電容解決方案

為解決這一問題，Vishay推出了一係列的HVArc(高壓電弧)防護MLCC(多層貼片陶瓷電容)，可(ke)防(fang)止(zhi)電(dian)弧(hu)放(fang)電(dian)，同(tong)時(shi)節(jie)省(sheng)空(kong)間(jian)。這(zhe)些(xie)新(xin)器(qi)件(jian)在(zai)較(jiao)高(gao)的(de)電(dian)壓(ya)定(ding)額(e)內(nei)具(ju)有(you)最(zui)大(da)容(rong)量(liang)，並(bing)且(qie)提(ti)高(gao)了(le)電(dian)壓(ya)擊(ji)穿(chuan)的(de)耐(nai)受(shou)能(neng)力(li)。高(gao)壓(ya)電(dian)弧(hu)放(fang)電(dian)會(hui)造(zao)成(cheng)斷(duan)路(lu)，並(bing)有(you)可(ke)能(neng)損(sun)壞(huai)其(qi)他(ta)元(yuan)器(qi)件(jian)。標(biao)準(zhun)的(de)高(gao)壓(ya)SMD電容最終將會失效短路，這取決於電弧放電的次數和存在問題的部分。Vishay HVArc防護電容可以吸收所有的能量，因此
，此電容能夠在高壓下進行正常工作，至少在達到高壓擊穿極限之前，不會產生破壞性電弧放電。

HVArc防護電容的VBD分布由器件采用的獨特設計來控製，VBD可達3kV或以上。本產品采用了NPO和X7R電介質。

用於MRI的新型無磁電容

磁共振成像(MRI)設備內部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質、電極材料或端接材料中可能含有鐵質或磁性材料。為提高圖像分辨率
，MRI係統的磁場水平不斷提高，而MRI室內使用的電容會造成磁場畸變。因此

，需要減少或完全消除大部分電容中的磁性材料。

最新推出的係列MLCC在電極和端接結構中采用非鐵材料，來滿足消除磁化的要求。無磁結構可以采用X7R和NPO電介質。外形尺寸為0402至 1812
，符合EIA規格。Vishay還在最終測試時采用了專用電容分選設備，以確保所有無磁電容均能符合技術要求。