IGBT混搭SiC SBD續流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優勢：

 

●    沒有Si二極管的反向恢複損耗Erec

●    降低30%以上IGBT的開通損耗Eon

 

因此，在中小功率光伏與UPS等領域，IGBT混搭SiC SBD續流二極管具有較高性價比。

 

此次，我們將利用英飛淩強大且豐富的器件SPICE模型，同樣在Simetirx的仿真環境裏，測試不同類型的續流二極管，對IGBT開通特性及Eon的影響。

 

特別提醒

 

仿真無法替代實驗
，僅供參考。

 

選取仿真研究對象

 

IGBT：650V/50A/S5
、TO247-4pin(免去發射極電感對開通的影響)

 

FWD：650V/30A/50A Rapid1二極管和650V/20A/40A SiC/G6/SBD二極管

 

Driver IC：1EDI20I12AF驅動芯片，隔離單通道，適合快速IGBT和SiC驅動

 

搭建仿真電路

 

如下圖1所示，搭建了雙脈衝仿真電路，溫度設為常溫。

 

驅動回路

 

驅動芯片(1EDI20I12AF)，對下管Q1(IKZ50N65ES5)門級的開關控製，與上管D1續流二極管進行換流。參照Datasheet的條件，驅動IC原邊5V供電及5V的控製信號
，驅動IC輸出的驅動電壓15V/0V給到Q1的門級，驅動電阻Rgon和Rgoff都設置為23.1Ω，再假設20nH左右的門級PCB走線電感。

 

主回路部分

 

設置母線電壓400V
，在器件外的上管、下管和母線附近各設置10nH

，總共30nH(參照規格書中的雙脈衝測試條件，Lσ=30nH)。根據仿真中的驅動脈衝寬度與開關電流要求
，設置雙脈衝的電感參數。

 

圖1：雙脈衝仿真電路圖

 

仿真結果分析

 

根據上述電路，通過選取不同的續流二極管D1的型號進行仿真

，對比觀察Q1的IGBT在開通過程的變化。如圖2和圖3所示，在IGBT的開通過程中，當續流管D1的型號從650V/50A/Rapid1切換到650V/40A/SiC/G6/SBD後，開通電流Ic的電流尖峰(由D1的反向恢複電荷Qrr形成)，從虛線(50A/Rapid1)的巨大包絡，顯著變為實線(40A/SBD)的小電流過衝；同時電壓Vce在第二段的下降速度也明顯加快，使得電流Ic與電壓Vce的交疊區域變小。因此
，體現在開通損耗Eon上，前者虛線(50A/Rapid1)為Eon=430uJ，降為實線(40A/SBD)的Eon=250uJ，占比為58%

，即Eon降幅約40%。

 

圖2：雙脈衝仿真開關特性波形(650V/50A/Rapid1)

 

圖3：雙脈衝仿真開通波形對比(Rapid1/50A VS SiC/G6/SBD/40A)

 

圖4：雙脈衝仿真開通波形對比(不同電流規格二極管的對比)

 

為了進一步驗證二極管D1的影響
，分別用兩種不同電流進行橫向對比。由上述圖4的仿真結果可見：同為650V/SiC/G6/SBD二極管的Qrr本身很小
，不同電流規格(40A和20A)
，其Ic電流尖峰和開通損耗Eon都很接近。相對而言
，50A和30A的650V/Rapid1的二極管，才能體現出一定的差異。

 

以上仿真是在門級電阻Rgon=23.1Ω、驅動電壓Vge=15V/0V和外部電感Lσ=30nH的條件下進行的，如果采用不同門級電阻Rgon=18Ω或35Ω、Vge=15V/-8V和不同外部電感(如Lσ=15nH)時
，從Rapid1/50A到SiC/G6/SBD/40A
，IGBT開通損耗Eon的變化趨勢又將如何呢？

 

圖5：門級電阻Rgon為18Ω和35Ω時，SiC/G6/SBD/40A對Eon的影響

 

圖6：外部電感Lσ=15nH時


，SiC/G6/SBD/40A對Eon的影響

 

圖7：在門級電壓Vge=15V/-8V時，SiC/G6/SBD/40A對Eon的影響

 

由上述幾組仿真結果來看，在一定門級電阻Rgon範圍，一定外部電感條件Lσ

，以及不同門級電壓Vge時，均可以看到650V/40A/SiC/SBD二極管
，給IGBT開通帶來約50%左右的Eon損耗降低。

 

文章最後，我們再討論一個問題：選擇Vge=15V/0V與Vge=15V/-8V，對650V/50A/S5的TO247-4pin的單管的開關損耗Eon/Eoff有影響嗎
？

 

圖8：不同Vge電壓對650V/S5/50A+Rapid1/50A開關特性的影響

 

圖9：不同Vge電壓對650V/S5/50A+SiC/G6/SBD/40A開關特性的影響

 

在圖8和圖9中
，虛線表示Vge=15V/0V
，而實線表示Vge=15V/-8V；粗略來看，對Eon的影響可以忽略，而對Vge的負壓，可以減少Eoff差不多有50%（以Vce尖峰作為代價）。仿真雖然無法定量，至少可以定性地提醒大家，在設計與實測的時候，不要隨意忽視Vge對開關特性的影響，尤其是快速型的IGBT。

 

期望上述的仿真分析，對大家深入理解650V混合SiC的開關特性有所幫助。

 

來源：英飛淩科技大中華區

 

 

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