采用TI最新的GaN技術設計，圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉換速率下

，從0V升到480V
，並具有小於50V的過衝。 

 

圖1：TI 600V半橋功率級——開關波形（a）；設備封裝（b）；半橋板圖（c）。

 

GaN FET具有低端子電容
，因而可快速切換。然而，當GaN半橋在高di / dt條件下切換時，功率環電感在高壓總線和開關節點處引入振鈴/過衝。這限製了GaN FET的快速切換功能。

 

由you於yu引yin線xian長chang且qie封feng裝zhuang為wei大da尺chi寸cun
，傳chuan統tong的de功gong率lv封feng裝zhuang通tong常chang具ju有you來lai自zi引yin線xian和he接jie合he線xian的de高gao電dian感gan。在zai含han鉛qian封feng裝zhuang中zhong已yi觀guan察cha到dao高gao達da幾ji百bai伏fu的de過guo衝chong。減jian少shao過guo衝chong的de關guan鍵jian是shi最zui小xiao化hua功gong率lv環huan電dian感gan。

 

為了降低引線電感，TI以表麵貼裝四方扁平無引線（QFN）封裝提供單通道GaN功率級產品。如圖1b所示，TI設計功率回路和柵極回路，使得QFN內部具有低電感。如圖1c所示
，TI的GaN半橋評估模塊（EVM）jianggaocehediceshebeihezongxiandianrongqijinkaoyiqi，binglijizaishebeizhengxiafangdebancengfanhuidianyuanhuilu。zheshidegonglvhuiludechicunzuixiaohua

，congerbaochidihuiludiangan。

 

TI的先進封裝和電路板設計將功率環電感降至幾納亨。這種低電感設計與優化的驅動器集成，使得LMG3410能夠在轉換速率> 100V / ns及過衝小於10％的條件下進行切換。您可使用LMG3410設計電源轉換器，進行快速切換，以提高效率，具有低壓過衝，並可減少電磁幹擾（EMI）。

 

TI的LMG3410 GaNgonglvjishidedianyuanshejirenyuannenggoukaifagenggaomiduhegenggaoxiaolvdedianyuan。yujuyouguoliuheguowenbaohudejichengqudongqixiangjiehe，cishebeizaigaozhuanhuansulvxianenggouzhixingkekaoqiehuan，kejianhuaninkaifayejielingxiandedianyuanjiejuefangandegongzuo。

 

 

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