1. 典型充電電路和充電曲線：

 

圖1 典型應用電路

 

圖2 典型的充電曲線

 

圖3 配置和軟件設置

 

2. 加速充電過程

 

與鋰電池的預充電過程不同
，超級電容可以直接快速充電，從而減少充電時間，可以采取如下兩種方式來減小芯片自帶的預充過程
，

 

使用更低的檢流電阻Rsr=2mOhm.

默認是10 mOhm
，相當於提升5倍的預充電流。

 

圖 4   20s 快速充電充滿

 

2去使能LDO 模式

 

為了保證芯片的最小工作電壓，在預充過程充
，BATFET處於LDO模式下，采用旁路模式也能加快充電速度，但會犧牲一部分係統電壓範圍。

 

圖 5  LDO 使能模式

 

 

圖6 LDO旁路模式

 

3. 兼容0.5A小電流USB輸入

 

當(dang)輸(shu)入(ru)電(dian)源(yuan)的(de)電(dian)流(liu)能(neng)力(li)有(you)限(xian)，而(er)充(chong)電(dian)電(dian)流(liu)很(hen)高(gao)時(shi)會(hui)有(you)拉(la)低(di)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)的(de)風(feng)險(xian)，需(xu)要(yao)動(dong)態(tai)的(de)配(pei)置(zhi)充(chong)電(dian)電(dian)流(liu)
，防(fang)止(zhi)係(xi)統(tong)電(dian)壓(ya)過(guo)低(di)導(dao)致(zhi)的(de)係(xi)統(tong)崩(beng)潰(kui)。BQ25703A的DPM模式能靈活地設置輸入功率限製，動態地的分配實時的充電電流，保證輸入電壓恒定。

 

圖 7  無DPM模式

 

圖8 DPM模式

 

4. 被動均衡功能

 

為了防止單體過充或者欠充，需要加入主動或者被動均衡
，在保證功耗的基礎上
，被動均衡的電路簡單，成本更低。

 

圖9 電阻被動均衡

 

5. 硬件過充保護

 

當軟件崩潰或者程序錯誤設置時，需要硬件的保護來防止電壓過衝而引起的危險。使用內部比較器並結合芯片本身的HIZ模式可以強製保護充電電壓低於設置的安全門限值。

 

圖10 HIZ 硬件過壓保護

 

6. 綜述

 

綜上，BQ25703A可以作為多節的超級電容的升降壓充電方案，自帶power path 功能和DPM功能，軟件配置靈活
，硬件保護功能齊全。

 

 

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