zaidaduoshuqingkuangxia，monixinhaoyouzukangbijueding。ruguoyingjiankaifarenyuannenggoulejiechangqibaochiwendingdejingmimonidianzidianludehaochu，tamenjiukeyiliyongshuzixitongdewanzhengfenbianlv。benwenjiangzhongdiantaolunxianxingguding電阻器的阻抗。

 

1 數字交流/直流轉換

 

數字化是將數值空間和時間空間中連續的信號轉換為數值空間和時間空間中離散的信號。

 

表1 ：A/D轉換器最重要的參數及其對應值

 

A/D 轉換器的分辨率會具有另外的作用。其他基本條件（例如 Kotelnikov 和 Shannon 的采樣定理
、混疊濾波器或各種類型的 A/D 轉換器）不在本文討論範圍之內。

 

2 模擬信號處理

 

在測量技術領域，信息並不能始終用作數字或頻率信號。信號幅度必須使用分壓器降低到適合 A/D 轉(zhuan)換(huan)器(qi)的(de)水(shui)平(ping)
，或(huo)者(zhe)使(shi)用(yong)放(fang)大(da)器(qi)而(er)提(ti)高(gao)。分(fen)壓(ya)器(qi)的(de)比(bi)例(li)因(yin)子(zi)或(huo)運(yun)算(suan)放(fang)大(da)器(qi)的(de)增(zeng)益(yi)因(yin)子(zi)取(qu)決(jue)於(yu)兩(liang)個(ge)電(dian)阻(zu)的(de)相(xiang)對(dui)性(xing)能(neng)。這(zhe)意(yi)味(wei)著(zhe)隻(zhi)要(yao)兩(liang)個(ge)電(dian)阻(zu)的(de)性(xing)能(neng)同(tong)樣(yang)好(hao)或(huo)同(tong)樣(yang)差(cha)，兩(liang)個(ge)電(dian)阻(zu)的(de)比(bi)率(lv)就(jiu)始(shi)終(zhong)相(xiang)同(tong)
，因(yin)此(ci)，電(dian)路(lu)與(yu)電(dian)阻(zu)的(de)屬(shu)性(xing)無(wu)關(guan)。然(ran)而(er)，電(dian)阻(zu)器(qi)的(de)屬(shu)性(xing)永(yong)遠(yuan)不(bu)會(hui)相(xiang)同(tong)，這(zhe)意(yi)味(wei)著(zhe)兩(liang)個(ge)電(dian)阻(zu)器(qi)的(de)比(bi)率(lv)會(hui)發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)。該(gai)比(bi)率(lv)隨(sui)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)、功耗和不同薄膜溫度下的老化而變化。

 

3 TCR 跟蹤的影響

 

本(ben)例(li)采(cai)用(yong)分(fen)壓(ya)器(qi)研(yan)究(jiu)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)對(dui)各(ge)種(zhong)溫(wen)度(du)係(xi)數(shu)的(de)影(ying)響(xiang)。形(xing)成(cheng)完(wan)整(zheng)的(de)差(cha)分(fen)會(hui)產(chan)生(sheng)一(yi)個(ge)近(jin)似(si)方(fang)程(cheng)式(shi)，而(er)該(gai)方(fang)程(cheng)式(shi)可(ke)以(yi)估(gu)算(suan)由(you)於(yu)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)變(bian)化(hua)引(yin)起(qi)的(de)電(dian)阻(zu)變(bian)化(hua)對(dui)於(yu)比(bi)例(li)因(yin)子(zi)產(chan)生(sheng)的(de)影(ying)響(xiang)。

 

  方程式1

 

假定 A/D 轉換器的分辨率對應於允許的誤差，並且兩個電阻器都經曆相同的溫度變化
，則根據所要求的 TCR 跟蹤
，通過置換而得到以下近似方程式。

 

  方程式2

 

在電子表格程序中
，兩個電阻器的必要 TCR 跟蹤可以根據彼此數據相互估算，作為分壓器所需精度和所用溫度範圍的函數。

 

對於緊鄰參考溫度範圍內運行的應用，如音頻，必要的 TCR 跟蹤表明溫度係數之間允許存在相應的較大偏差。然而，如果對精度的要求很嚴格，則建議在溫度波動約 10K 時使用高級薄膜電阻器。

 

表2  ：顏色表示電阻器從厚膜電阻
、薄膜電阻向箔電阻發展的技術建議

 

4 薄膜芯片排阻器

 

電dian路lu中zhong的de電dian阻zu會hui受shou到dao環huan境jing溫wen度du和he功gong耗hao的de影ying響xiang。在zai此ci類lei應ying用yong中zhong，電dian阻zu值zhi根gen據ju溫wen度du應ying力li和he所suo使shi用yong的de電dian阻zu材cai料liao而er以yi不bu同tong的de速su率lv變bian大da或huo變bian小xiao。如ru果guo電dian阻zu因yin溫wen度du差cha異yi而er出chu現xian不bu同tong程cheng度du的de老lao化hua，分fen壓ya器qi的de比bi例li因yin子zi將jiang在zai使shi用yong壽shou命ming內nei變bian化hua。為wei了le最zui大da程cheng度du地di降jiang低di質zhi量liang維wei護hu和he校xiao準zhun成cheng本ben，對dui於yu精jing密mi測ce量liang工gong程cheng，必bi須xu考kao慮lv具ju有you相xiang同tong溫wen度du係xi數shu和he容rong差cha對dui的de電dian阻zu器qi。如ru果guo將jiang所suo需xu的de電dian阻zu器qi設she計ji在zai一yi個ge基ji板ban上shang

，則ze所suo有you電dian阻zu器qi均jun由you溫wen度du係xi數shu幾ji乎hu相xiang同tong的de同tong一yi電dian阻zu材cai料liao製zhi成cheng。由you於yu在zai相xiang同tong的de基ji板ban上shang，電dian阻zu器qi在zai使shi用yong期qi間jian要yao承cheng受shou相xiang同tong的de溫wen度du。結jie果guo，老lao化hua效xiao應ying的de速su率lv和he幅fu度du實shi際ji上shang也ye相xiang同tong。

 

下xia圖tu顯xian示shi了le用yong於yu芯xin片pian排pai阻zu器qi的de陶tao瓷ci基ji板ban。每mei個ge單dan獨du的de芯xin片pian排pai阻zu器qi上shang至zhi少shao存cun在zai兩liang個ge具ju有you相xiang同tong屬shu性xing的de電dian阻zu器qi。此ci例li中zhong采cai用yong一yi個ge具ju有you四si個ge單dan獨du電dian阻zu值zhi的de排pai阻zu器qi。

 

圖1 ：芯片排阻器的陶瓷基板

 

溫度對電阻器性能的影響幾乎毫無關聯
，因為芯片排阻器由相同的電阻材料製成，並且由於共同的 TCR 退tui火huo工gong藝yi，它ta們men的de溫wen度du係xi數shu曲qu線xian幾ji乎hu相xiang同tong。如ru果guo施shi加jia在zai芯xin片pian排pai阻zu器qi上shang的de應ying力li不bu同tong，則ze溫wen度du較jiao高gao的de電dian阻zu器qi會hui將jiang承cheng受shou較jiao小xiao應ying力li的de電dian阻zu器qi升sheng高gao到dao幾ji乎hu相xiang同tong的de溫wen度du。在zai測ce量liang溫wen度du時shi，滿man負fu荷he電dian阻zu與yu無wu負fu荷he的de電dian阻zu之zhi間jian僅jin測ce得de約yue 3K 的溫差（見圖2）。

 

圖2

 

有了這些結果，各個電阻器的值變化可以使用漂移方程來估算，而且可以確定每個電阻器的相對偏移變化。下圖3 顯示，在 8 位 A/D 轉換器中使用的分立式薄膜電阻器的漂移可以忽略不計
，但對於 10 位轉換器，LSB 僅在 5000 小時後出現誤差。對於 12 位及更高位的轉換器，建議使用芯片排阻，因為即使在運行的最初幾個小時內，分立式電阻的阻值變化仍會超過分辨率。

 

圖3

 

5 公差的影響

 

仍然需要指出的是，可根據要求為芯片排阻提供公差匹配。通過此功能，如果有必要，可以消除電子生產線末端的校準步驟，從而提高 SMD 生產線的效率。

 

6 模擬電路的規則

 

yongyugaofenbianlvshuzixitongdemonixinhaochulishiyixiangyoutiaozhanxingdezongherenwu。weileshigongzuonenggouyigengjujiegouhuadefangshishoudongjinxing，yixiashiyixiechulidianzuqihuokaifajuyougaoshuzifenbianlvdemonidianludejibenguize：

 

●  勿將分壓器直接連接到 A/D 轉換器。要始終在二者之間連接阻抗轉換器

●  如果使用的溫度偏離 +20°C 的電阻器參考溫度，則注意 TCR 效應

    ○ 電阻器的 TCR 不是線性的

    ○ 電阻器的 TCR 隨生產批次而不同

    ○ 一個包裝批次中可以有兩個生產批次

    ○ 使用樣品在實驗室中可行的操作在第一批產品的生產中可能會出錯

●  為了最大程度地減小功耗對偏移量的影響
，應使用盡可能大的電阻

●  在一個信號路徑中，將電阻器盡可能靠近放置，使它們溫度保持接近

    ○ 注意！注意絕緣坐標

●  注意熱效應（塞貝克效應）

    ○ 避免使用徑向布線的電阻；最好采用軸向設計

    ○ 僅將 SMD 電阻放置在與熱流平行的位置

    ○ 注意與電路板走線的熱關係相同

●  使用盡可能長期穩定的電阻

    ○ 注意 EN 60115-1 中連續負荷條件下的漂移規格

    ○ “典型”規格表示未經統計驗證的平均值

●  盡可能使用薄膜芯片排阻器，因為這些產品提供了 TCR 和偏移跟蹤或公差匹配

 

所有行業領域都使用檢測模擬信號並針對數字電路進行處理的方式。沒有一個電阻器係列可以滿足所有領域的要求。因此，Vishay 推出了廣泛的產品組合。在初步選擇時需要提供支持的客戶以及有特殊問題的客戶可以直接聯係適當的產品專家。

 

 關於作者 

 

Ove Hach 於 1998 年開始擔任 Vishay Intertechnology 的應用工程師
，目前則擔任 Vishay Draloric 和 Vishay Beyschlag 電阻器品牌的產品營銷高級經理。Hach 擁有基爾應用科技大學的 Dipl. -Ing. (FH) 學位
，自 2005 年以來一直是 DKE K663 標準化委員會的成員。

 

 

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