噪聲分為兩類：內部噪聲和外部噪聲。內部噪聲是不可避免的，每個電子設備都會產生內部噪聲。LDO由理想的源供電，這意味著它不受外界影響
，因此在輸入端沒有外部噪聲(雖然LDO在輸出端確實有內部噪聲)。外部噪聲是由外界影響(輸入處的紋波——實際源)產生的各種噪聲。輸入波紋與電源抑製比(PSRR)有關。

 

此(ci)外(wai)
，還(hai)有(you)如(ru)熱(re)和(he)閃(shan)爍(shuo)等(deng)噪(zao)聲(sheng)的(de)不(bu)同(tong)類(lei)別(bie)。熱(re)噪(zao)聲(sheng)是(shi)由(you)粒(li)子(zi)的(de)隨(sui)機(ji)熱(re)運(yun)動(dong)引(yin)起(qi)的(de)

，這(zhe)種(zhong)運(yun)動(dong)稱(cheng)為(wei)擴(kuo)散(san)。熱(re)噪(zao)聲(sheng)的(de)存(cun)在(zai)沒(mei)有(you)外(wai)部(bu)電(dian)壓(ya)連(lian)接(jie)。與(yu)熱(re)噪(zao)聲(sheng)不(bu)同(tong)的(de)是(shi)，閃(shan)爍(shuo)噪(zao)聲(sheng)是(shi)由(you)粒(li)子(zi)電(dian)流(liu)的(de)隨(sui)機(ji)變(bian)化(hua)引(yin)起(qi)的(de)

，這(zhe)種(zhong)運(yun)動(dong)稱(cheng)為(wei)漂(piao)移(yi)。漂(piao)移(yi)是(shi)由(you)外(wai)部(bu)電(dian)壓(ya)引(yin)起(qi)的(de)，這(zhe)意(yi)味(wei)著(zhe)沒(mei)有(you)外(wai)部(bu)電(dian)壓(ya)就(jiu)不(bu)可(ke)能(neng)存(cun)在(zai)閃(shan)爍(shuo)噪(zao)聲(sheng)。

 

噪聲也可按頻譜劃分。我們用顏色來識別特定的噪聲頻譜。例如白色、粉紅色
、棕色

、灰色等。通過顏色識別的第一種噪聲是白噪聲，它在整個頻譜範圍內是平滑的。

 

那麼我們如何測量噪聲呢
？如前所述
，內部噪聲是由輸入端有理想源的LDO產生的噪聲。在實際測量中
，這個理想的源可能是電池
，它比LDO穩壓器具有更低的內部噪聲。這種噪聲與頻率有關
，它由一個參數表示
，如頻譜噪聲密度曲線或積分噪聲值(在通常為10 Hz至100 kHz的特定頻率範圍內，輸出噪聲電壓以微伏- uVRMS表示)。

 

 

danshenmeshipinpuzaoshengmidune？ruguoninjishiceliangzaosheng，ninzhinengkandaozaoshengdejueduizhenfuzhi，danbunengkandaosuoyouzaoshengshuxingdepinlv。zhengrushangmiandetupiansuoshi，zaoshengzaix10defanweinei。pinpuzaoshengmiduquxianshisuochanshengdezaoshengzhihe。meiyizaoshengdoushizaizhaifudepinlvfanweineiceliangde。ninkezaixiamiandetupianzhongkandaopinpuzaoshengmidu。

 

 

LDO輸出端的噪聲也與負載有關。負載消耗電流Iout，該電流值等於電阻RLOAD。與負載相關的是多個RLOAD和輸出電容COUT。較高的RLOAD值或較高的COUT值意味著與負載相關的曲線部分向較低頻率移動。在上麵的圖片上，您可看到與IOUT有關，在下麵的圖片中，您可看到與COUT有關。

 

 

安森美半導體有寬廣的LDO陣容


，具有不同的噪聲參數。標準的LDO通常具有典型的50 uVRMS以上的積分噪聲，另外還有低噪聲產品(噪聲RMS)和超低噪聲器件(噪聲RMS)。例如最新的超低噪聲LDO是NCP 160/NCP 161/NCP 163/NCP 167係列和NCP 110。這些LDO的積分噪聲低於10 uVRMS，是敏感應用如射頻、傳感器
、攝像機、智能手機
、平板電腦或無線局域網的極佳選擇。

 

但是，如何表示LDO輸出的噪聲有多大呢？可用如上文所示的積分噪聲頻率範圍表示。這個範圍通常是10赫茲至100千赫。